NCE065N30K
NCE065N30K
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE065N30K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =30V,ID =65A
RDS(ON) <5.2mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=5V
● High density cell design for ult...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 30
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| P- | CJU80N03 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||
| P- | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
| P- | WMO55N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| P- | CS90N03A4 (CRMICRO) | TO252 |
| — | — | — | |||||||||||
| P- | IRLR3103TR (JSMICRO) IRLR3103TR (INFIN) | — | 400 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRLR3103TRPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | JMTK50N03A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
| A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
| A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | IRLR8743 (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | 100N03A (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| ± | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMK80N04T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMO60N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMO70N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE065N30K
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 12.09.2024
Размер: 634.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.