WMO70N03T1

WMO70N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO70N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. G TO-252 Features  VDS= 30V, ID = 70A S RDS(on) < 6.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 10.5mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  Low Gate Charge ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMK80N04T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ YJD80N03B (YJ)
 
TO252 Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJD80N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ YJG90N04A (YJ)
 
252 шт
 
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ 100N03A (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ±
A+ WMK75N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK70N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в коробках 1000 шт
 
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.