Метка — IGBT Записей: 88, Страница: 1 из 9

01 октября 2018

Основные параметры и аспекты применения дискретных IGBT

Инструкция по особенностям практического применения дискретных транзисторов IGBT с экскурсом в основы теории и результатами практических испытаний для трех моделей IGBT производства Infineon: IRG7PC35SD для резонансных приложений с мягкими... ...читать

Рубрики: примеры применений
05 сентября 2018

Электробусы, вперед! – решения Infineon для систем накопления энергии электротранспорта

Требования, предъявляемые к современному электротранспорту, в частности – к трамваям и троллейбусам, постоянно растут. Особое внимание уделяется работе электротранспорта в автономном режиме при временном отключении от контактной сети питания.... ...читать

Рубрики: примеры применений
25 июля 2018

Тенденции разработки кремниевых IGBT диапазона напряжений до 1200 В

В течение нескольких поколений транзисторы IGBT проходили непрерывную оптимизацию статических и динамических характеристик. Тем не менее, статические характеристики современных IGBT еще далеки от физического предела, а динамические часто... ...читать

Рубрики: примеры применений
11 июля 2018

TRENCHSTOP IGBT6 - новое поколение 650V IGBT от Infineon

К разработкам в области частотного привода сегодня предъявляются все возрастающие требования в части повышения компактности изделий и, как следствие, плотности мощности. При этом устройство должно отвечать всем требованиям надежности. Именно для... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
14 июня 2018

Новые 650V IGBT c дополнительным выводом эмиттера в корпусе TO-247-4 от Infineon

Компания Infineon представила IGBT транзисторы TRENCHSTOP™ 5-го поколения в новом 4-х выводном корпусе TO-247-4. Четвертый дополнительный вывод является вторым эмиттерным и соединяется непосредственно с драйвером для исключения паразитной... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
25 мая 2018

1EDC - новые 1200V изолированные драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

1EDC — новые одноканальные изолированные драйверы затвора силовых транзисторов в преобразователях до 1200 В. Драйверы сочетают в себе высокую надежность и конкурентную цену. Новые драйверы выдерживают напряжение 3000 В в течение 1 секунды.... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: интегральные микросхемы
10 мая 2018

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
24 апреля 2018

Компактный интеллектуальный силовой модуль для частотно-регулируемых приводов малой мощности

Частотно-регулируемые приводы малой мощности широко используются, например, в бытовых и промышленных кондиционерах. Для ускорения вывода этих изделий на рынок, уменьшения габаритов и упрощения теплоотвода Infineon предлагает новый силовой модуль,... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы, примеры применений
14 марта 2018

1EDI - изолированные одноканальные драйверы IGBT от Infineon

Изолированные одноканальные драйверы управления затвором силовых транзисторов 1EDIx0I12MF от Infineon рассчитаны на напряжение 1200 В и предназначены для высоконадёжных силовых преобразователей. Изоляция драйверов построена на базе технологии... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
28 февраля 2018

IRS2890D - новый полумостовой 600V драйвер MOSFET от Infineon

Компания Infineon пополнила семейство драйверов силовых транзисторов, представив новый двухканальный полумостовой драйвер IRS2890D, который предназначен для управления как IGBT, так и MOSFET транзисторами. Драйвер идеально подходит для построения... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы