Метка — IGBT Записей: 99, Страница: 1 из 10

04 февраля

Интеллектуальные силовые модули CIPOS Maxi 1200V от Infineon

Интеллектуальные силовые модули (Intelligent Power Modules, IPM) от Infineon существенно упрощают процесс разработки приводов электродвигателей и других силовых приложений. Они объединяют в одном корпусе все необходимые компоненты, в том числе... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы, дискретные полупроводники
29 декабря 2018

Интеллектуальные силовые модули CIPOS Micro от Infineon

Infineon является одним из лидеров в области производства интеллектуальных силовых модулей (Intelligent Power Modules, IPM). Эти микросхемы выступают в качестве интерфейса между низковольтной управляющей логикой, например, микроконтроллерами и... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
30 ноября 2018

Интеллектуальные 600-650V силовые модули CIPOS Mini от Infineon

CIPOS™ Mini – интеллектуальные силовые модули (intelligent power modules, IPM), которые объединяют в одном корпусе силовые полупроводниковые ключи (БТИЗ или МОП-транзисторы) и схему управления. Благодаря этому удается значительно сократить... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы, дискретные полупроводники
01 октября 2018

Основные параметры и аспекты применения дискретных IGBT

Инструкция по особенностям практического применения дискретных транзисторов IGBT с экскурсом в основы теории и результатами практических испытаний для трех моделей IGBT производства Infineon: IRG7PC35SD для резонансных приложений с мягкими... ...читать

Рубрики: статья
05 сентября 2018

Электробусы, вперед! – решения Infineon для систем накопления энергии электротранспорта

Требования, предъявляемые к современному электротранспорту, в частности – к трамваям и троллейбусам, постоянно растут. Особое внимание уделяется работе электротранспорта в автономном режиме при временном отключении от контактной сети питания.... ...читать

Рубрики: статья
25 июля 2018

Тенденции разработки кремниевых IGBT диапазона напряжений до 1200 В

В течение нескольких поколений транзисторы IGBT проходили непрерывную оптимизацию статических и динамических характеристик. Тем не менее, статические характеристики современных IGBT еще далеки от физического предела, а динамические часто... ...читать

Рубрики: статья
11 июля 2018

TRENCHSTOP IGBT6 - новое поколение 650V IGBT от Infineon

К разработкам в области частотного привода сегодня предъявляются все возрастающие требования в части повышения компактности изделий и, как следствие, плотности мощности. При этом устройство должно отвечать всем требованиям надежности. Именно для... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
14 июня 2018

Новые 650V IGBT c дополнительным выводом эмиттера в корпусе TO-247-4 от Infineon

Компания Infineon представила IGBT транзисторы TRENCHSTOP™ 5-го поколения в новом 4-х выводном корпусе TO-247-4. Четвертый дополнительный вывод является вторым эмиттерным и соединяется непосредственно с драйвером для исключения паразитной... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
25 мая 2018

1EDC - новые 1200V изолированные драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

1EDC — новые одноканальные изолированные драйверы затвора силовых транзисторов в преобразователях до 1200 В. Драйверы сочетают в себе высокую надежность и конкурентную цену. Новые драйверы выдерживают напряжение 3000 В в течение 1 секунды.... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
10 мая 2018

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники