Метка — IGBT Записей: 81, Страница: 1 из 9

10 мая

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
14 марта 2018

1EDI - изолированные одноканальные драйверы IGBT от Infineon

Изолированные одноканальные драйверы управления затвором силовых транзисторов 1EDIx0I12MF от Infineon рассчитаны на напряжение 1200 В и предназначены для высоконадёжных силовых преобразователей. Изоляция драйверов построена на базе технологии... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
28 февраля 2018

IRS2890D - новый полумостовой 600V драйвер MOSFET от Infineon

Компания Infineon пополнила семейство драйверов силовых транзисторов, представив новый двухканальный полумостовой драйвер IRS2890D, который предназначен для управления как IGBT, так и MOSFET транзисторами. Драйвер идеально подходит для построения... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
14 февраля 2018
Eco-Block

Применение силовых модулей Infineon в каскадных преобразователях для электроприводов среднего напряжения

Наиболее популярна для применения в электроприводах среднего напряжения каскадная схема преобразования. Для каскадных многоуровневых преобразователей компания Infineon предлагает расширенную номенклатуру модулей IGBT в стандартных промышленных... ...читать

Рубрики: примеры применений
17 января 2018

Современные выпрямители для гальваники: заменяем тиристоры на IGBT

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к... ...читать

Рубрики: примеры применений
12 января 2018

IGBT модули с увеличенной плотностью мощности от Infineon

Компания Infineon обновила семейство IGBT модулей в стандартном корпусе 62 мм, выпустив приборы с увеличенными рабочими токами. Таким образом, используя данные модули, можно повысить выходную мощность при неизменных конструктиве и размерах... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
04 декабря 2017

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как... ...читать

Рубрики: примеры применений
13 ноября 2017
2EDL-INFINEON

2EDL - новые полумостовые драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

Компания Infineon запустила производство двухканальных драйверов силовых транзисторов в полумостовой схеме. Новые драйверы 2EDL рассчитаны на напряжение смещения до 600 В и сочетают в себе высокую надежность и низкую стоимость. Межканальная... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
15 июня 2017

Новые IGBT5 модули Infineon с технологией .XT

К современным мощным преобразователям энергии предъявляются все более жесткие требования. Они должны быть надежными, обладать большой плотностью мощности и при этом оставаться высокоэффективными. Всем вызовам индустрии отвечает новое поколение... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы, расширение склада
Группы товаров: дискретные полупроводники
07 июня 2017

1EDN - новое семейство драйверов для IGBT, MOSFET и GaN транзисторов

Компания Infineon выпустила новую линейку драйверов 1EDN для управления затворами любых силовых транзисторов на высоких частотах в схемах высокоэффективных преобразователей мощности. 1EDN7511, 1EDN8511, 1EDN7512 — одноканальные драйверы с... ...читать

Рубрики: расширение склада, новинки элементной базы
Группы товаров: интегральные микросхемы