HKTQ50N03

Hottech
HKTQ50N03 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) D D D D FEATURES  VDS=3 0V,RDS(ON)≤8.5mΩ@VGS=10 V,ID=15A  Ultra Low on-resistance  For Low power DC to DC converter application  For Load switch application S G SS  Surface Mount device D MECHANICAL DATA      Case: PDFN3333 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.012 grams (approximate) Markin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт — — —
A+ WMQ46N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRFR3707Z (EVVO)
 

IRFR3707Z (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRFH3707 (EVVO)
 
PQFN8 в ленте 5000 шт — — —
A+ NCE3095K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE065N30K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ JMTQ3005A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ CJU100N03S (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
 ± — — — — —
A+ 100N03A (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт ± — — —
A+ WMQ50N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO80N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO75N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO70N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO60N04T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK80N04T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB56N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB46N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB090N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB042DN03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLB8748 (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
HKTQ50N03 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) D D D D FEATURES  VDS=3 0V,RDS(ON)≤8.5mΩ@VGS=10 V,ID=15A  Ultra Low on-resistance  For Low power DC to DC converter application  For Load switch application S G SS  Surface Mount device D MECHANICAL DATA      Case: PDFN3333 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.012 grams (approximate) Marking:Q50N03 1 8 2 7 3 6 4 5 G S PDFN3333 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage Continuous Drain Current ID@TC=25℃ ID@TC=100℃ ±20 V 1 50 A 1 30 A 112 A Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current 2 EAS Single Pulse Avalanche Energy IAS Avalanche Current 3 4 24 mJ 22 A 37 W PD@TC=25℃ Total Power Dissipation TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS(th) Gate Threshold Voltage Conditions Min. Typ. Max. Unit 30 --- --- V VGS=10 V , ID=15A 6.2 8.5 mΩ VGS=4.5V , ID=15A 9.5 15 mΩ V VGS=0V , ID=250uA 2 VGS=VDS , ID =250uA 1.0 1.5 2.4. VDS=30V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 VDS=24V , VGS=0V , TJ=125℃ --- --- 10 IDSS Drain-Source Leakage Current IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA Rg Gate Resistance VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz --- 1.8 --- Ω Qg Total Gate Charge (10V) --- 9.8 --- Qgs Gate-Source Charge --- 4.2 --- Qgd Gate-Drain Charge --- 3.6 --- Turn-On Delay Time --- 4 --- Td(on) VDS=15V , VGS=10V , ID=20A Rise Time VDD=15V , VGS=10V , RG=3Ω, --- 8 --- Turn-Off Delay Time ID=15A --- 30 --- Fall Time --- 4 --- Ciss Input Capacitance --- 940 --- Coss Output Capacitance --- 130 --- Crss Reverse Transfer Capacitance --- 110 --- Tr Td(off) Tf ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD VDS=15V , VGS=0V , f=1MHz E-mail:hkt@heketai.com uA nC ns pF PDF
Документация на HKTQ50N03 

Subject:

Дата модификации: 06.07.2022

Размер: 3.11 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    22 июня
    статья

    30 лет на рынке силовой электроники: продукция Hottech для промышленности и электромобилей

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ), Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Shenzhen Hottech Electronics Co., Ltd. (торговая марка HKT) – китайский производитель силовых полупроводников и пассивных компонентов, основанный в 1992 году. Штаб–квартира расположена в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)