MMDT3904V

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors 00'79 !"    DUAL TRANSISTOR˄NPN+NPN) )($785( z Epitaxial planar die construction z Ideal for low power amplification and switching 0$5.,1* KAP  0$;,0805$7,1*6 7D XQOHVVRWKHUZLVHQRWHG   9DOXH 8QLW 9&%2 6\PERO3DUDPHWHU Collector-Base ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT3904 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT3904M (JSCJ)
 
SOT-723 в ленте 8000 шт
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PZT3904 (JSCJ)
 

PZT3904 (ONS-FAIR)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ MMBT5551 (JSMICRO)
 

MMBT5551 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ MMBT3904 (HOTTECH)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (HOTTECH)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors 00'79 !"    DUAL TRANSISTOR˄NPN+NPN) )($785( z Epitaxial planar die construction z Ideal for low power amplification and switching 0$5.,1* KAP  0$;,0805$7,1*6 7D XQOHVVRWKHUZLVHQRWHG   9DOXH 8QLW 9&%2 6\PERO3DUDPHWHU Collector-Base Voltage 60 V 9&(2 Collector-Emitter Voltage 40 V 9(%2 Emitter-Base Voltage 5 V ,& Collector Current -Continuous 0.2 A 3& Collector Power Dissipation 0.2 W TJ,7VWJ Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150  (/(&75,&$/&+$5$&7(5,67,&6 7D XQOHVVRWKHUZLVHVSHFLILHG            3DUDPHWHU 6\PERO &ROOHFWRUEDVHEUHDNGRZQYROWDJH  V(BR)CBO IC=10A,IE=0 60 V &ROOHFWRUHPLWWHUEUHDNGRZQYROWDJH  V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 40 V (PLWWHUEDVHEUHDNGRZQYROWDJH V(BR)EBO IE=10A,IC=0 5 V &ROOHFWRUFXWRIIFXUUHQW  ICBO VCB=30V,IE=0 0.05 A (PLWWHUFXWRIIFXUUHQW  IEBO VEB=5V,IC=0 0.05 A &ROOHFWRUFXWRIIFXUUHQW  IC VC=30V, = 0.05 A hFE(1) VCE=1V,IC=0.1mA 40 hFE(2) VCE=1V,IC=1mA 70 hFE(3) VCE=1V,IC=10mA 100 hFE(4) VCE=1V,IC=50mA 60 hFE(5) VCE=1V,IC=100mA 30 VCE(sat)1 IC=10mA,IB=1mA 0.2 V VCE(sat)2 IC=50mA,IB=5mA 0.3 V VBE(sat)1 IC=10mA,IB=1mA 0.85 V VBE(sat)2 IC=50mA,IB=5mA 0.95 V '&FXUUHQWJDLQ  &ROOHFWRUHPLWWHUVDWXUDWLRQYROWDJH %DVHHPLWWHUVDWXUDWLRQYROWDJH 7UDQVLWLRQIUHTXHQF\ &ROOHFWRURXWSXWFDSDFLWDQFH fT Cob 'HOD\WLPH td 5LVHWLPH tr 6WRUDJHWLPH t )DOOWLPH tf www.jscj-elec.com 7HVW FRQGLWLRQV VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz VCB=5V,IE=0,f=1MHz 0LQ7\S0D[ 0.65 8QLW 300 300 MHz 4 pF VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA , IB1=-IB2= 1mA 35 ns 35 ns VCC=3V, IC=10mA IB1=-IB2=1mA 200 ns 50 ns 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT3904V 

MMDT3904V SOT-563 A.pdf

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.32 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.