MMBT3904

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3904 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT3906 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 1AM= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. X= Code 1AMX Symbol Parameter 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Value Unit VCBO Collector-Bas...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3904 (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= MMST3904 (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT3904W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
P= MMST3904 (JSCJ)
 
3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
200 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PZT3904 (JSCJ)
 

PZT3904 (ONS-FAIR)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3904 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT3906 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 1AM= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. X= Code 1AMX Symbol Parameter 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA, IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VEB(off)=3V 50 Collector cut-off current ICBO VCB= 60V, IE=0 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V, IC=0 100 nA hFE(1) VCE=1V, IC=10mA 100 hFE(2) VCE=1V, IC=50mA 60 hFE(3) VCE=1V, IC=100mA 30 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=50mA, IB=5mA 0.3 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=50mA, IB=5mA 0.95 DC current gain Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time ts Fall time tf VCE=20V,IC=10mA, f=100MHz nA 300 300 V V MHz VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA, 35 ns 35 ns VCC=3V, IC=10mA, IB1= IB2=1mA 200 ns VCC=3V, IC=10mA, IB1= IB2=1mA 50 ns IB1=1mA VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA, IB1=1mA CLASSIFICATION OF hFE(1) HFE 100-300 RANK L H RANGE 100–200 200–300 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBT3904 

Microsoft Word - MMBT3904 SOT-23_A_.doc

Дата модификации: 21.01.2021

Размер: 659 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.