MMST3904

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST3904 TRANSISTOR (NPN) SOT–323 FEATURES  Complementary to MMST3906 MARKING:K2N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3904 SOT23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3904 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT3904 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMST3904 (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT3904W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT3904M (JSCJ)
 
SOT-723 в ленте 8000 шт — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— 200 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ PZT3904 (JSCJ)
 

PZT3904 (ONS-FAIR) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST3904 TRANSISTOR (NPN) SOT–323 FEATURES  Complementary to MMST3906 MARKING:K2N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO* IC=10µA, IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=1mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO* IE=10µA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO* VCB=60V, IE=0 60 nA Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VBE(off)=3V 50 nA DC current gain hFE* Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)* Base-emitter saturation voltage VBE(sat)* Transition frequency fT VCE=1V, IC=100µA 40 VCE=1V, IC=1mA 70 VCE=1V, IC=10mA 100 VCE=1V, IC=50mA 60 300 IC=10mA, IB=1mA 0.25 V IC=50mA, IB=5mA 0.3 V IC=10mA, IB=1mA 0.85 V IC=50mA, IB=5mA 0.95 V VCE=20V,IC=10mA , f=100MHz 300 MHz Collector output capacitance Cob VCB=5V, IE=0, f=1MHz 4 pF Collector output capacitance Cib VEB=0.5V, IE=0, f=1MHz 8 pF Delay time td VCC=3V, VBE(off)=0.5V IC=10mA, 35 ns Rise time tr IB1=1mA 35 ns Storage time ts 225 ns Fall time tf 75 ns VCC=3V, IC=10mA, IB1= IB2=1mA *Pulse test: pulse width ≤300μs,duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMST3904 

Microsoft Word - MMST3904 SOT-323_A_.doc

Дата модификации: 15.05.2020

Размер: 730.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)