MMBT3904T

MMBT3904T NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to MMBT3906T  Small Package  MARKING:MA MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 1. BASE 2. EMITTER IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3904T (JSCJ)
 

MMBT3904T (ONS-FAIR)
SOT-523 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT3904 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT3904M (JSCJ)
 
SOT-723 в ленте 8000 шт
A+ MMBT3904 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ MMBT5551 (JSMICRO)
 

MMBT5551 (DIODES)
в ленте 3000 шт
 
A+ PZT3904 (JSCJ)
 

PZT3904 (ONS-FAIR)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
MMBT3904T NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to MMBT3906T  Small Package  MARKING:MA MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 1. BASE 2. EMITTER IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 833 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ RΘJA SOT–523 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA, IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 6 V Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain ICEX VCE=30V, VEB(off)=3V IEBO VEB=5V, IC=0 hFE(1) VCE=1V, IC=0.1mA 40 hFE(2) VCE=1V, IC=1mA 70 hFE(3) VCE=1V, IC=10mA 100 hFE(4) VCE=1V, IC=50mA 60 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage VBE(sat) Transition frequency fT Collector output capacitance Cob Base input capacitance Cib 50 nA 100 nA 300 IC=10mA, IB=1mA 0.2 V IC=50mA, IB=5mA 0.3 V 0.85 V 0.95 V IC=10mA, IB=1mA 0.65 IC=50mA, IB=5mA VCE=20V,IC=10mA, f=100MHz 300 MHz VCB=5V, IE=0, f=1MHz 4 pF VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz 8 pF 35 ns 35 ns VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA, Delay time td Rise time tr Storage time ts VCC=3V, IC=10mA, IB1= IB2=1mA 200 ns Fall time tf VCC=3V, IC=10mA, IB1= IB2=1mA 50 ns REV.08 IB1=1mA VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA, IB1=1mA 1 of 2 PDF
Документация на MMBT3904T 

Microsoft Word - MMBT3904T SOT-523_A_.doc

Дата модификации: 26.10.2018

Размер: 794 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.