YJD80N03A

SUNCOYJ
RoHS YJD80N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 80A ＜4.5mohm ＜6.0mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epox...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ NTD4804NT4G (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт — — —
A+ JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB75N03U (JSCJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 ± — — — — —
A+ 30N03A (YOUTAI)
 
TO252 100 шт
 
 — ± — — —
A+ YJG150N03A (YJ)
 
— 5000 шт
 
 — —
A+ WMQ023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJG130G04A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ YJG90N04A (YJ)
 
— 252 шт
 
 — —
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMB023N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMSL0302AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD80N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 80A ＜4.5mohm ＜6.0mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 80 TC=25℃ Drain Current A ID 50 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 190 A 44 W 17 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 132 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 2.8 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD80N03A F1/F2 YJD80N03A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E617 Rev.3.1,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD80N03A 

Microsoft Word - YJD80N03A Rev3.1

Дата модификации: 01.04.2022

Размер: 455.7 Кб

7 стр.

RoHS COMPLIANT YJD80N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30V 80A ＜4.5mohm ＜6.0mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 80 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 56 Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 190 A 54 W 27 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 225 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 2.8 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD80N03A F2 YJD80N03A 2500 / 25000 13“ reel 1/6 S-B1185 Rev.2.0,30-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD80N03A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.03.2019

Размер: 620 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)