2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER 20 ноября 2020 Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции. Изоляционны... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCдрайвер MOSFET
Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1 20 ноября 2020 Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов ... телекоммуникациисветотехникауправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCDC-DCMotor Drive
Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД 18 ноября 2020 Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive
Каждой топологии – своя технология. Часть 2 16 ноября 2020 Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволя... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET
Каждой топологии – своя технология. Часть 1 10 ноября 2020 Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых тран... телекоммуникацииуправление питаниеммедициналабораторные приборыInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМ
900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей 3 ноября 2020 Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETAC-DCMotor DriveКарбид кремния
Как управлять SiС-транзистором 2 ноября 2020 Алексей Гребенников (г. Москва) Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате. Д... управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTMotor Drive
Новые 40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затворе 30 октября 2020 Компания Infineon представила новые 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5. Данные транзисторы относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечи... телекоммуникацииуправление питаниемавтоматизацияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETбатарейное питаниеMotor Drive
Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора 22 октября 2020 Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Sil... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTизоляцияККМMotor Drive
Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм 20 октября 2020 Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р... управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFETcoolsicСиловая электроника