Применение SiC MOSFET в высокочастотном силовом преобразователе 6,6 кВт с высокой удельной мощностью

28 января
Юэцюань Ху, Цзяньвень Шао, Тейк Сянг Онг (Wolfspeed) Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показате...
управление питаниемуниверсальное применениеWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFET

Транзисторы OptiMOS с ориентацией кристалла истоком вниз могут стать новым стандартом в изготовлении MOSFET

25 января
Бастиан Ланг (Infineon) Традиционно производители дискретных силовых полупроводниковых приборов добиваются улучшения ключевых характеристик (RdsON и теплового сопротивления «кристалл-корпус») за счет усовершенствования кристалла. Однако специалист...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETMotor Drive

Как улучшить параметры преобразователей с помощью карбид-кремниевых модулей WolfPACK

18 января
Необходим быстродействующий преобразователь питания средней мощности с высоким КПД? Он должен быть компактным (то есть – без дискретных транзисторов) и недорогим (то есть – без мощных модулей, используемых с невысокой эффективностью)? Решение – ка...
управление питаниемWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFET

Решения Infineon для беспроводного электроинструмента с бесщеточными электродвигателями

13 января
Ча Лин, Питер Грин (Infineon) Современные строительные электроинструменты достигают высокой производительности и эргономичности благодаря использованию мощных бесщеточных электродвигателей и литий-ионных аккумуляторов. Для реализации сложных алгор...
управление двигателемпотребительская электроникаInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETMotor Drive

Способы повышения КПД и удельной мощности инверторов для солнечных электростанций

28 декабря 2021
Мустафа Хазреи, Дамиан Зупанчич (Infineon) Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов для солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Специалисты Infineon приходят к неожиданному выводу: традиционная к...
телекоммуникацииуниверсальное применениеInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFET

Разработка преобразователей на основе карбид-кремниевых приборов с помощью симулятора SpeedFit 2.0

23 декабря 2021
Компания Wolfspeed разработала бесплатный онлайн симулятор SpeedFit 2.0, позволяющий разработчикам быстро и всесторонне оценить параметры основных процессов, происходящих в силовой части импульсных преобразователей электрической энергии, и сравнит...
управление питаниемуправление двигателемWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFETMotor DriveSiC MOSFET

Экосистема STMicroelectronics для управления двигателями

14 декабря 2021
Софья Букреева (г. Протвино) Компания STMicroelectronics предлагает все необходимые компоненты для систем управления коллекторными, бесколлекторными, синхронными и шаговыми двигателями. К услугам разработчиков – драйверы STSPIN, широкий выбор оцен...
управление двигателемSTMicroelectronicsстатьяинтегральные микросхемысредства разработки и материалыMOSFETIGBTBLDCMotor DrivePMSM

Раскрывая секреты: особенности размещения драйверов карбид-кремниевых транзисторов

10 декабря 2021
Дэйв Скиннер, Юкван Ху (Wolfspeed) В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид-кремниевых транзисторов (не только производства Wolfspeed), позволяющие избежать наиболее распространенны...
управление питаниемуправление двигателемWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFETMotor DriveSiC MOSFET

Бортовые зарядные устройства электромобилей на основе компонентов Infineon

7 декабря 2021
Северин Кампль (Infineon) Достижения компании Infineon в области силовых полупроводниковых приборов на основе кремния и карбида кремния позволяют создавать бортовые зарядные устройства с высокими значениями удельной мощности и КПД, предназначенные...
автомобильная электроникауправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFET

600-вольтовые CoolMOS MOSFET PFD7 – идеальное решение для устройств с высокой плотностью мощности

25 ноября 2021
Линейка высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В установила новый стандарт для технологии Super Junction, став прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели Вы...
управление питаниемпотребительская электроникаInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCLED драйвер