2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER

20 ноября 2020
Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции. Изоляционны...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCдрайвер MOSFET

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

20 ноября 2020
Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов ...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCDC-DCMotor Drive

Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

18 ноября 2020
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive

Каждой топологии – своя технология. Часть 2

16 ноября 2020
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволя...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET

Каждой топологии – своя технология. Часть 1

10 ноября 2020
Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых тран...
телекоммуникацииуправление питаниеммедициналабораторные приборыInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМ

900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

3 ноября 2020
Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETAC-DCMotor DriveКарбид кремния

Как управлять SiС-транзистором

2 ноября 2020
Алексей Гребенников (г. Москва) Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате. Д...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTMotor Drive

Новые 40 В MOSFET семейства OptiMOS 5 с нормальным уровнем сигнала на затворе

30 октября 2020
Компания Infineon представила новые 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5. Данные транзисторы относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечи...
телекоммуникацииуправление питаниемавтоматизацияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETбатарейное питаниеMotor Drive

Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

22 октября 2020
Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Sil...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTизоляцияККМMotor Drive

Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

20 октября 2020
Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р...
управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFETcoolsicСиловая электроника