MMBT2222AM

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-723 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2222AM TRANSISTOR (NPN) SOT-723 FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907AM) 3 1 1. BASE 2 2.EMITTER MARKING: 1P 3.COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VC...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-723
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMST2222A (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
SOT-323-3 3000 шт — — — —
A+ MPS2222A (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт
 
 — — — —
A+ MPS2222A-TA (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ BCW66 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BCW66H (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 1200 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-723 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2222AM TRANSISTOR (NPN) SOT-723 FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907AM) 3 1 1. BASE 2 2.EMITTER MARKING: 1P 3.COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 0.5 A IC Collector Current -Continuous PC Power Dissipation 100 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 1250 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA, IE=0 75 V Collector-emitter breakdown voltage * V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.01 μA Collector cut-off current ICEX VCE=30V,VBE(off)=3V 0.01 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=3V, IC=0 0.1 μA DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage hFE * VCE(sat) VBE(sat) Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf * * VCE=10V, IC= 150mA 100 VCE=10V, IC= 0.1mA 40 VCE=10V, IC= 500mA 42 300 IC=500 mA, IB= 50mA 1 V IC=150 mA, IB=15mA 0.3 V IC=500 mA, IB= 50mA 2.0 V IC=150 mA, IB=15mA 1.2 V VCE=20V, IC= 20mA, f=100MHz 300 MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA 10 ns 25 ns VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA 225 ns 60 ns *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT2222AM 

Microsoft Word - MMBT2222A SOT-23 格力.doc

Дата модификации: 12.05.2020

Размер: 645.3 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)