MMBT2222AT

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2222AT TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Complementary to MMBT2907AT z Small Package SOT–523 MARKING:1P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V 1. BASE VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 2. EMITTER VEBO Emitter-Base Vol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMST2222A (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
SOT-323-3 3000 шт — — — —
A+ MPS2222A (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт
 
 — — — —
A+ MPS2222A-TA (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MPSA06 (JSCJ)
 

MPSA06 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 2000 шт
 
 — — — —
A+ BCW66 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2222AT TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Complementary to MMBT2907AT z Small Package SOT–523 MARKING:1P MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V 1. BASE VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 2. EMITTER VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 3. COLLECTOR IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit = V(BR)CBO IC=10µA, IE 0 75 V V(BR)CEO IC=10mA, IB 0 Collector-emitter breakdown voltage = 40 V = V(BR)EBO IE=10µA, IC 0 6 V Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current ICEX = VCE=60V, VEB(off) 3V h= VCE=10V, IC 0.1mA FE(1) = hFE(2) VCE=10V, IC 1mA DC current gain 10 nA 35 50 h= VCE=10V, IC 10mA FE(3) 75 hFE(4) = VCE=10V, IC 150mA 100 hFE(5) = VCE=10V, IC 500mA 40 300 Collector-emitter saturation voltage IC=150mA, IB= 15mA VCE(sat) = IC=500mA, IB 50mA 0.3 V 1 V Collector-emitter saturation voltage IC=150mA, IB= 15mA VBE(sat) = IC=500mA, IB 50mA 1.2 V 2 V Transition frequency Collector output capacitance fT Cob VCE=20V,IC=20mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA, 300 MHz 8 pF 10 ns 25 ns Delay time td Rise time tr Storage time ts VCC=30V, IC=150mA, I= B1=IB2 15mA 225 ns Fall time tf VCC=30V, IC=150mA, IB1= IB2= 15mA 60 ns www.jscj-elec.com IB1=15mA VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA, IB1=15mA 1 B,Mar,2012 C,Mar,2012 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBT2222AT 

Microsoft Word - MMBT2222AT SOT-523_A_.doc

Дата модификации: 11.05.2020

Размер: 636.3 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)