MMDT3904

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT3904 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES z Epitaxial planar die construction z Ideal for low power amplification and switching MARKING:K6N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3904DW (SHIKUES)
 
SOT-323-6 SOT363
 
P= MMDT3904 (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT3904 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
200 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PZT3904 (JSCJ)
 

PZT3904 (ONS-FAIR)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT3904 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES z Epitaxial planar die construction z Ideal for low power amplification and switching MARKING:K6N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ Symbol Parameter ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 0.05 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.05 μA Collector cut-off current ICEX VCE=30V,VBE(off)=3V 0.05 μA hFE(1) VCE=1V,IC=0.1mA 40 hFE(2) VCE=1V,IC=1mA 70 hFE(3) VCE=1V,IC=10mA 100 hFE(4) VCE=1V,IC=50mA 60 hFE(5) VCE=1V,IC=100mA 30 VCE(sat)1 IC=10mA,IB=1mA 0.2 V VCE(sat)2 IC=50mA,IB=5mA 0.3 V VBE(sat)1 IC=10mA,IB=1mA 0.85 V VBE(sat)2 IC=50mA,IB=5mA 0.95 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency fT VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz 0.65 300 300 MHz Collector output capacitance Cob VCB=5V,IE=0,f=1MHz 4 pF Noise figure NF VCE=5V,Ic=0.1mA,f=1kHz,RS=1KΩ 5 dB Delay time td 35 nS Rise time tr VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA , IB1=-IB2= 1mA 35 nS Storage time ts 200 nS Fall time tf VCC=3V, IC=10mA IB1=-IB2=1mA 50 nS www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT3904 

Microsoft Word - MMDT3904_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.14 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.