Вход / Регистрация

MMDT3904

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT3904 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES z Epitaxial planar die construction z Ideal for low power amplification and switching MARKING:K6N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMDT3904 (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT3904DW (SHIKUES)
 
SOT-323-6 SOT363
 
 — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBT3904 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2N3904 (DC)
 

2N3904 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT3904M (JSCJ)
 
SOT-723 в ленте 8000 шт — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— 200 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ PZT3904 (JSCJ)
 

PZT3904 (ONS-FAIR) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT3904 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES z Epitaxial planar die construction z Ideal for low power amplification and switching MARKING:K6N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ Symbol Parameter ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=30V,IE=0 0.05 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.05 μA Collector cut-off current ICEX VCE=30V,VBE(off)=3V 0.05 μA hFE(1) VCE=1V,IC=0.1mA 40 hFE(2) VCE=1V,IC=1mA 70 hFE(3) VCE=1V,IC=10mA 100 hFE(4) VCE=1V,IC=50mA 60 hFE(5) VCE=1V,IC=100mA 30 VCE(sat)1 IC=10mA,IB=1mA 0.2 V VCE(sat)2 IC=50mA,IB=5mA 0.3 V VBE(sat)1 IC=10mA,IB=1mA 0.85 V VBE(sat)2 IC=50mA,IB=5mA 0.95 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency fT VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz 0.65 300 300 MHz Collector output capacitance Cob VCB=5V,IE=0,f=1MHz 4 pF Noise figure NF VCE=5V,Ic=0.1mA,f=1kHz,RS=1KΩ 5 dB Delay time td 35 nS Rise time tr VCC=3V, VBE(off)=-0.5V IC=10mA , IB1=-IB2= 1mA 35 nS Storage time ts 200 nS Fall time tf VCC=3V, IC=10mA IB1=-IB2=1mA 50 nS www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMDT3904 

Microsoft Word - MMDT3904_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.14 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)