SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

16 июля

телекоммуникациитерминалы продажуправление питаниемуправление двигателемSUNCOстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTTVS-диодыДиодыESD-защита

Константин Кузьминов (г. Заполярный)

Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникационном оборудовании, безопасности и многих других областях. Ассортимент постоянно расширяется за счет применения новых технологий и моделей корпусов. Список преимуществ дополняет стабильность поставок.

Производство силовых полупроводниковых компонентов является ключевой отраслью, которую поощряет и поддерживает Китай. В этой стране важность силовой полупроводниковой промышленности поднята до национального стратегического уровня. Компания SUNCO, имея собственное производство полного цикла, выпускает такие компоненты, как Si- и SiCFET-транзисторы, дискретные IGBT и IGBT-модули, SiC-диоды, диодные мосты, диоды Шоттки, TVS-диоды, TVS-тиристоры и многое другое, в чем за время своей деятельности добилась больших успехов . Продукция компании применяется ведущими мировыми производителями.

SUNCO – одна из немногих компаний, которая осуществляет полный цикл производства и продаж: от сырья до поставок готовой продукции клиентам (таблица 1). Кроме того, она не только самостоятельно производит чипы, но и параллельно использует сторонние фабрики. Общую модель компании можно определить как «IDM + Fabless». Такая политика позволяет SUNCO и быть независящим от других производителем полупроводниковых компонентов, и вместе с тем более динамично реагировать на изменения рынка.

Таблица 1. Производственная цепочка SUNCO на основе модели IDM

Производс-твенная цепочка SUNCO Сырье и проектирование
(Upstream)
Производство и испытания
(Midstream)
Продажи
(Downstream)
Исходный материал Проект полупровод-никовых пластин Изготовление полупровод-никовых пластин Сборка и тестирование компонентов Каналы
продаж
Конечный
потребитель
Этап Кремниевые стержни, кремниевые пластины, эпитаксиальные пластины 5’’GPP
5’’SKY
6’’FRED
6’’SiC
8’’IGBT
8”MOS
5’’GPP
5’’SKY
6’’FRED
8’’IGBT
8”MOS
Диодные мосты, диоды (в том числе малосигнальные), SiC, IGBT и MOSFET Международная дистрибуция, прямые продажи внутри страны
  • Силовая электроника: Delta, Liteon, Chicony
  • Бытовая: LG, Samsung, Panasonic
  • Телекоммуникационная: HW, ZTE, FiberHome
  • Индустриальная: FUJI, Inovance, ESAB
  • Системы безопасности: HIKVISION, Dahua, Uniview
  • Автомобильная промышленность: BYD, CATL
Преимущества Гарантированность сырья Возможность разработки индивидуальных проектов Поддержка необходимого объема пластин, быстрые и безопасные поставки Полный цикл, автоматическая сборка, гарантия качества Быстрое реагирование, локальный сервис, мировая логистика Топ-клиенты, опыт работы, прочная позиция на рынках продаж

Продукция SUNCO широко применяется в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникационном оборудовании, безопасности и многих других областях. Она делится на три основных сегмента:

  • исходные материалы: монокристаллические кремниевые стержни (слитки), кремниевые пластины и эпитаксиальные пластины;
  • 5-, 6- и 8-дюймовые полупроводниковые пластины различных типов полупроводников;
  • корпусированные компоненты: MOSFET, IGBT, SiC, диоды (выпрямительные, защитные, Шоттки, сигнальные, фотодиоды, быстровосстанавливающиеся и так далее), супрессоры, диодные мосты, биполярные транзисторы (в том числе цифровые) и другие виды полупроводниковых компонентов.

Качество продукции SUNCO постоянно растет благодаря возможностям анализа отказа компонентов и поддержке клиентов в применении дискретных полупроводниковых устройств. Процедуры и технологические возможности анализа отказов, используемые компанией, представлены на рисунке 1.

Рис. 1. Процедуры и возможности анализа отказов компании SUNCOYJ

Рис. 1. Процедуры и возможности анализа отказов компании SUNCO

SUNCO модернизировала свою внутреннюю систему контроля качества и использует стандарт немецкой автомобильной промышленности VDA6.3 для оценки производственного процесса (компании присвоен рейтинг VDA6.3, уровень А). Активно продвигая применение технологий промышленного интернета вещей, EAP и PLC в АСУ производства, SUNCO реализовал автоматизацию управления критически важными технологическими этапами, что улучшило качество выпускаемой продукции.

Полупроводниковые компоненты производства SUNCO

Компания предлагает огромный ассортимент диодов различных технологий исполнения, а также сборки и диодные мосты, которые охватывают большинство областей применения, включая автомобильную (AEQ-100/101). Современные технологии корпусирования позволяют получить энергоэффективные и компактные компоненты различной мощности. В таблицах 2 и 3 приведены примеры диодов и диодных мостов, выпускаемых SUNCO и имеющих корпуса различных форм-факторов (рисунки 2 и 3). Многие из них уже доступны для заказа со склада КОМПЭЛ.

Рис. 2. Корпуса выпрямительных и сигнальных диодов SUNCO

Рис. 2. Корпуса выпрямительных и сигнальных диодов SUNCO

Таблица 2. Выпрямительные и сигнальные диоды и сборки SUNCO

Тип Наименование Прямой ток IFAV (IF), А Обратное напряжение VRRM (VR), В Прямое напряжение VF, В (при токе, А) Макс. время восстанов-ления trr, нс Корпус
Шоттки RB521S-30L2 0,2 (30) 0,5 (0,2) DFN1006-2L
MBR0540 0,5 (40) 0,55 (0,5) SOD-123
SS36 3,0 60 0,70 (3,0) DO-214AB (SMC)
Быстрые (малое время восстановления) F15D 1,5 200 1,3 (1,5) 250 SOD-123FL
F1J 1,0 600 1,3 (1,0) 250
GR2BA 2,0 100 1,3 (1,5) 250 DO-214AC (SMA)
Ультрабыстрые MURS360 3,0 600 1,25 (3,0) 50 DO-214AB (SMC)
ES2BA 2,0 100 0,95 (2,0] 35 DO-214AC (SMA)
ES1J 1,0 600 1,7 (1,0) 35
Общего назначения 1N4007 1,0 1000 1,0 (1,0) DO-204AL(DO-41)
G1GQ 1,0 400 1,1 (1,0) SOD-123FL
Высокоэффективные HS1M 1,0 1000 1,7 (1,0) 75 DO-214AC (SMA)
Переключающие BAV99 (0,2) 100 (75) 0,855 (0,01) 4 SOT-23
1N4148WS 0,15 100 (75) 1,0 (0,01) 4 SOD-323
1SS400 (0,225) 90 (80) 1,2 (0,1) 4 SOD-523
Для сварочных аппаратов ZW10500-200 10500 200 1,05 (5000) W2
ZW12000-400 12000 400 1,05 (5000) W3
ZW18000-400 18000 400 1,05 (5000) W5
SiC SBD YJD112010DG1 10 (Tc=155°C) 1200 2,25 (10) при Tj = 175°C TO-252
YJD112010PG1 TO-220AC
YJD112020NG1 20 при Tc = 155°C 2,03 (20) при Tj = 175°C TO-247AC

Рис. 3. Корпуса диодных мостов

Рис. 3. Корпуса диодных мостов

Таблица 3. Диодные мосты SUNCO

Тип Наименование Повторяющееся импульсное обратное напряжение VRRM, В Прямой средний ток IFAV, А Прямое напряжение VF, В (при токе, А) Корпус
Однофазные MB6S 600 0,8 (алюминиевая подложка)
0,5 (стеклянно-эпоксидная подложка)
1,00 (0,4) MBS
DB107 1000 1,0 1,00 (0,5) DB
KBU1010 1000 10 1,1 (5) KBU
Трехфазные DF25NA80 800 25 1,1 (12,5) TSB-5
MT3516A 1600 35 1,2 (17,5) MT

Самый простой способ ограничить и/или стабилизировать напряжение на определенном уровне –использование стабилитрона. SUNCO выпускает более трех сотен моделей этих устройств. В таблице 4 представлена часть ассортимента компании в корпусах SMA, SOD-123, SOD-323, SOT-23 (рисунок 4) для поверхностного монтажа.

Рис. 4. Корпуса стабилитронов

Рис. 4. Корпуса стабилитронов

Таблица 4. Стабилитроны SUNCO

Наименование Напряжение стабилизации при токе 5 мА, В Максимальный ток утечки IR, мкА (VR, В) Мощность рассеивания, Вт Корпус
Мин. Ном. Макс.
MMSZ5232B 5,32 5,6 5,88 0,9 (2) 0,5 SOD-123
BZT52C10S 9,4 10 10,6 0,2 (7,0) 0,2 SOD-323
BZX84B3V3 3,21 3,3 3,39 15 (1) 0,35 SOT-23
SMA5918A 4,85 5,1 5,36 10,0 (2,0) 1,5 DO-214AC (SMA)

Ограничение напряжения позволяет построить защиту цепей электронных приборов от всплесков перенапряжений, в частности от электростатических разрядов. Но наиболее эффективным в этом случае будет применение супрессоров (TVS- и ESD-диодов) или защитных тиристоров (TSS), более мощных и быстродействующих, чем стабилитроны. Однако собственная емкость супрессора может внести искажения в полезный сигнал, поэтому для высокочастотных линий, таких как антенны, интерфейсы USB, HDMI, DisplayPort, PCIe и другие, требуются особенные супрессоры с минимальной емкостью перехода. В ассортименте компании SUNCO присутствуют не только необходимые варианты дискретных супрессоров, но и сборки, позволяющие защитить интерфейсы с учетом топологии линий данных и питания. Используемые типы корпусов DFN0603…DFN3020, FBP1608, SOD-123/323/SOD-523, SOP8, SOT-23/363/523. В таблицах 5 и 6 представлены защитные диоды и сборки SUNCO, доступные для приобретения в КОМПЭЛ. Внешний вид их корпусов показан на рисунках 5 и 6.

Рис. 5. Корпуса TVS-диодов

Рис. 5. Корпуса TVS-диодов

Таблица 5. TVS-диоды SUNCO

Наименование Рабочее напряжение, В Максимальный ток утечки IR, мкА Мощность Ppk для импульса 10/1000 мкс, Вт Корпус
1.5KE 5,50…154 5…1000 1500 DO-201AE
P6KE 5,50…513 5…1000 600 DO-204AC
1.5SMC 5,8…513 5…1000 1500 DO-214AB (SMC)
SMCJ 5,0…440
P6SMB 5,8…513 5…1000 600 DO-214AA (SMB)
SMBJ 5,0…440 5…800
SMAJ 5,0…440 5…800 400 DO-214AC (SMA)
SMF 5,0…220 1…400 200 SOD-123FL

Рис. 6. Корпуса ESD-диодов и сборок

Рис. 6. Корпуса ESD-диодов и сборок

Таблица 6. ESD-диоды и сборки SUNCO

Наименование Напряжение, В Максимальный ток утечки IR, мкА Максимальная емкость перехода Cj на частоте 1 МГц, пФ Мощность Ppk для импульса 8/20 мкс, Вт Корпус
VRWM VBR VCLAMP
ASM05 5 6 0,5 160 320 SOT-23
ESD12VE 12 14 17 0,1 110 650
ESD2CAN24T2Q 24 28,3 38 0,1 30 352 SOT-23
ESD3V3D5 3,3 5 14 0,08 120 224 SOD-523
ESDSLC0504S2 5 6 15 0,5 0,8 75 SOT-23-6L

Компания SUNCO выпускает более 500 различных МОП-транзисторов (MOSFET) для широкого спектра применений, включая автомобильные и высоковольтные решения, в том числе транзисторы с ESD-защитой затворов. Варианты конфигураций и диапазоны допустимых напряжения «сток-исток» и тока стока:

  • Для автомобильных применений:
    • N-канальные 20…150 В, 0,22…340 А;
    • сборки N+N 40…100 В, 0,22…85 А;
    • P-канальные -20…-100 В, -0,19…80 А;
    • сборки N+P (два варианта) 20/-20 В 2/1,5 А и 100/-100 В 40/-12 А.
  • Высоковольтные N-канальные транзисторы:
    • технологии SJ (Super Junction) 600…900 В, 5…33 А;
    • SiC (на основе карбида кремния) 650…1700 В, 8,3…155 А.
  • Средне- и низковольтные:
    • N-канал 20…250 В, 0,15…300 А;
    • P-канал -15…-100 В, -0,17…-115 А.
  • Сборки из двух транзисторов:
    • комплементарные пары N+P – 20/-20…100/-100 В, 0,5/-0,5…40/-40 А;
    • N+N 20…100 В, 0,2…50 А;
    • P+P -20…-100 В, -0,15…30 А;
    • полумосты (N+N с соединенными стоком одного транзистора и истоком другого) 30 В, 30/40 А.

На складе КОМПЭЛ уже находится большинство самых популярных МОП-транзисторов SUNCO в корпусах DFN3333-8L, SOT-23/23-6L, TO-220/247/247-4L/252 (рисунок 7). Характеристики MOSFET и SiC MOSFET приведены в таблицах 7 и 8.

Рис. 7. Корпуса транзисторов

Рис. 7. Корпуса транзисторов

Таблица 7. MOSFET производства компании SUNCO

Наименование Канал Напря-жение VDS, В Ток ID при Tc = 25°C, А Сопротив-ление перехода RDS(ON), мОм (VGS, В) Параметры затвора Корпус
Напря-жение VGS, В Пороговое напряжение VGS(th), В Заряд Qg, нКл Входная емкость Ciss, пФ
2N7002 N 60 0,34 1200 (10) ±20 1…2,5 1,6 27,5 SOT-23
YJL2301C P -20 -3,4 42 (-4,5) ±10 -0,4…-1,0 5,41 438
BSS138DW N+N 50 0,34 1100 (10) ±20 0,8…1,6 1,7 28,5 SOT-323-6
YJJ3439KA N+P 20 0,5 180 (4,5) ±12 0,35…1,1 1 52
-20 -0,5 610 (-4,5) -0,35…-1,2 1,22 70
YJQ50N03A N 30 50 4,9 (10) ±20 1,0…2,5 54 2504 DFN3333-8L
YJD45G10A N 100 45 14 (10) ±20 1…3 16 1135 TO-252
YJD18GP10A P -100 -18 83 (-10) ±20 -1,0…-2,5 20,1 1051
YJD50GP06A P -60 -8 9 (-10) ±20 -1…-3 79 4260
YJP65N06A N 60 65 8,0 (10) ±20 2…4 54 2220 TO-220

Таблица 8. SiC MOSFET производства компании SUNCO

Наименование Канал Напря-жение VDS, В Ток ID при Tc = 25°C, А Сопротив-ление перехода RDS(ON), мОм (VGS, В) Параметры затвора Корпус
Напря-жение VGS, В Пороговое напряжение VGS(th), В Заряд Qg, нКл Входная емкость Ciss, пФ
YJD212040NCTG1 N (SiC) 1200 63 42 (20) -10/+25 2,0…3,5 120 2225 TO-247
YJD212080NCFG1 N (SiC) 1200 39 77 (18) -8/+22 2,3…3,6 41 890 TO247-4L

Для применения в силовой электронике компания SUNCO предлагает биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) и модули на их основе (в том числе c интегрированными SiC-диодами) с напряжением «коллектор-эмиттер»:

  • 650 В:
    • транзисторы с током 10…160 А в корпусах TO-220/247/263/264;
    • модули с током 150,300 и 400 А в корпусах C1 и C2).
  • 1200 В:
    • транзисторы с током 10…75 А в корпусах TO-247(Plus)/264;
    • модули с током 10…600 А в корпусах C1, C2, E1, E2, E3, N2, N3, P2, P3).

Данные компоненты выполнены по технологиям Planar NPT, Planar FS, Groove FS, Trench FS и Micro Grooves FS. В настоящее время SUNCO предлагает транзисторы и модули, перечисленные в таблицах 9 и 10. В этом году компания планирует выпуск силовых модулей с рабочими напряжениями 1700 В, а в перспективе – с допустимым напряжением 3300 и 6500 В.

Таблица 9. IGBT производства компании SUNCO

Наименование Напряжение «коллектор-эмиттер» VCE, В Максимальный ток коллектора IC при TC = 100°C, А Напряжение насыщения VCEsat при Tj = 25°C, В Энергия переключений при Tj = 25°C, мДж Диод Корпус
Включения Eon Выключения Eoff
DGP10N60CTL 600 10 1,65 0,64 0,75 + TO-220
DGW50N65CTL1 650 50 1,60 1,27 0,65 + TO-247
DGW25N120CTL 1200 25 1,85 1,8 1,4 +

Таблица 10. Cиловые модули производства SUNCO

Наименование Топология Напряжение, В Ток, А Рассеиваемая мощность, Вт Корпус Габариты, мм
MG75HF12TLC1 Полумост 1200 75 530 94x34x30,3
MG300HF12TLC2 300 1700 106,4x62x30
MG450HF12TLC2 450 2301
MG75TF12E2A 3-фазный мост + NTC 75 440 122×62,5×20,5
MG450HF12TLE3 Полумост + NTC 450 2340 152x62x20,8
MG600HF12TLE3 600 3333

В ассортимент биполярных и цифровых транзисторов SUNCO входит большое количество замен популярных стандартных моделей: номенклатура компании состоит из более трех сотен наименований, включая варианты с малым напряжением насыщения и сборки из двух транзисторов. В таблицах 11 и 12 представлены доступные со склада КОМПЭЛ биполярные транзисторы SUNCO в корпусах SOT-23/323/89, а также цифровые транзисторы в корпусах SOT-23/323/363 (рисунок 8).

Рис. 8. Корпуса транзисторов

Рис. 8. Корпуса транзисторов

Таблица 11. Биполярные транзисторы SUNCO

Наименование Полярность Ток коллектора IC, А Максимальное напряжение, В Коэффициент усиления (h21э) Насыщение VCE(sat), В Корпус
VCEO VCBO VEBO
BC807-16 PNP -0,5 -45 -50 -5 40….250 -0,7 SOT-23
BC817-25 NPN 0,5 45 50 5 40…400 0,7
2SC4081-R NPN 0,15 50 60 7 120…560 0,4 SOT-323
BCX56 NPN 1 80 100 5 25…250 0,5 SOT-89

Таблица 12. Цифровые транзисторы (транзисторы со встроенными резисторами) производства SUNCO

Наименование Полярность Интегрированные резисторы Ток коллектора, IC, мА Максимальное напряжение, В Корпус Схема
R1, кОм R2/R1 Вход Коллектор
DTA123JCA PNP 1,54…2,86 17…26 -100 -12…5 -50 SOT-23
DTA143ZUA PNP 3,29…6,11 8…12 -100 -30…5 -50 SOT-323
DTA114YUA PNP 7…13 3,7…5,7 -100 -40…6 -50
DTC143ZCA NPN 3,29…6,11 8…12 100 -5…30 50 SOT-23
DTC114YUA NPN 7…13 3,7…5,7 100 -6…40 50 SOT-323
UMH2N NPN+NPN 32,9…61,1 0,8…1,2 100 -10…40 50 SOT-363
UMD12N NPN+PNP 32,9…61,1 0,8…1,2 100 -10…40 50
-100 -40…10 -50

Компоненты, рассмотренные в данной статье, лишь частично охватывают весь широкий спектр продукции, выпускаемой компанией SUNCO. Ее ассортимент постоянно расширяется с появлением новых технологий и вариантов корпусов. Компания предлагает и полупроводниковые пластины, и интегральные схемы управления питанием (ключи, LDO и шунтирующие регуляторы, а также контроллеры DC/DC).

Высокие требования к безопасности цепочек поставок дают идеальную возможность для развития предприятий по производству силовых полупроводников в КНР. Их тесное сотрудничество с российскими компаниями не только позволяет разработчикам использовать качественные и передовые полупроводниковые компоненты, но и обеспечивает стабильность их поставок. Сотрудники КОМПЭЛ готовы предоставить дополнительную информацию о характеристиках, применении и условиях заказа продукции SUNCO.

•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCO

Компания SUNCO – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовления ...читать далее

Товары
Наименование
ESD2CAN24T2Q (YJ)
 
ESD3V3D5 (YJ)
 
ES2BA (YJ)
 
YJD112010DG1 (YJ)
 
KBU1010 (YJ)
 
YJD212040NCTG1 (YJ)
 
DGW50N65CTL1E (YJ)
 
MG600HF12TLE3 (YJ)
 
SMBJ5.0CA (YJ)
 

SMBJ5.0CA/TR13 (YAG)
SMBJ5.0CA (ONS-FAIR)
BAV99 (YJ)
 

BAV99 (DIODES)
Поиск по параметрам
Параметрический поиск товаров