Силовые полупроводники SUNCO для различных топологий зарядных станций

6 марта

управление питаниемуправление двигателемSUNCOстатьядискретные полупроводникиSiC MOSFETSiC DiodeЗарядный модульзарядная станция

Алексей Катков (г. Санкт-Петербург)

Развитие электротранспорта требует соответствующей инфраструктуры, в которую входит сеть стационарных зарядных станций. Для их построения необходимы выпрямительные диоды, IGBT-модули и MOSFET-транзисторы. Компания SUNCO предлагает широкий выбор качественных дискретных компонентов по конкурентной цене.

Число электромобилей во всем мире продолжает стремительно расти. В Китае в 2023…2024 годах доля продаж легкового электротранспорта впервые превысила количество проданных машин с бензиновыми моторами. Вследствие этого постоянно увеличивается количество зарядных станций. И оно продолжит расти соразмерно числу проданных машин на электротяге. В России такого перелома еще не случилось, однако тренд наметился: количество зарядных станций в крупных городах стремительно увеличивается вместе с количеством электромобилей. Если с привычными бензоколонками все, в целом, понятно, то с зарядными станциями – не очень. Как они построены? На какой элементной базе? Какая топология наиболее предпочтительна? Давайте разберемся.

Типы зарядных станций

Существуют два типа систем зарядки: переменного и постоянного тока. Зарядное устройство переменного тока питает аккумулятор электромобиля через бортовое зарядное устройство, которое преобразует энергию, получаемую из электросети. Зарядное устройство постоянного тока заряжает аккумулятор транспортного средства напрямую.

Все зарядные устройства можно разделить на 4 типа, в зависимости от их мощности:

  • Устройства уровней I и II (3…10 кВт) относятся к системам зарядки переменного тока (рисунок 1). Такие зарядные станции подключаются к бортовому заряднику, и преобразование переменного тока в постоянный происходит уже в нем. Таким образом аккумулятор полностью заряжается за 3…10 часов. Эти устройства подходят для применения в домашних условиях.

Рис. 1. Структурная схема зарядной станции AC/DC

Рис. 1. Структурная схема зарядной станции AC/DC

  • Устройства уровня III и IV (50…250 кВт) относятся к системам зарядки постоянного тока и заряжают аккумулятор электромобиля напрямую за 10…30 минут. Электрозарядные станции (далее ЭЗС) на их основе хорошо подходят для общественной зарядной инфраструктуры. На рисунке 2 показана типовая структурная схема зарядной станции постоянного тока.

Рис. 2. Структурная схема зарядной станции постоянного тока

Рис. 2. Структурная схема зарядной станции постоянного тока

Стандарты ЭЗС

В разных странах действуют свои стандарты на станции заряда электротранспорта и зависят от ограничений по силе тока, напряжению и мощности (таблица 1).

Таблица 1. Стандарты ЭЗС

Тип стандарта Регион Принятый стандарт Тип соединителя Максимальное напряжение, В Максимальная сила тока, А Максимальная мощность, Вт.
CCS2 Россия, Европа, Южная Америка SAE J3068 1000 250 250
CHAdeMO Северная Америка, Япония, Европа IEE2030.1.1 IEC 62916-3 1000 400 400
CCS Combo 1 Северная Америка, Япония, Россия SAE J1772 IEC 62916-3 600 400 200
CCS Combo 2 Европа, Россия IEC 62916-3 900 400 350
Tesla Северная Америка Нет специального стандарта 500 631 250
GB/T Китай, Россия IEC 62916-3 750 250 185
ChaoJi Универсальный CHAdeMO and GB/T 1500 600 900
MCS Нет специального стандарта 1500 3000 45000

При проектировании и производстве ЭЗС необходимо ориентироваться в первую очередь на указанные стандарты. Также нужно иметь в виду условия эксплуатации. К примеру, домашние зарядные станции, попадающие в категорию 3…10 кВт, должны быть относительно компактными. Они зачастую выполняются в виде единого монолитного устройства на базе дискретных компонентов.

В свою очередь, для достижения таких высоких уровней мощности, как в устройствах уровней III и IV, используются зарядные модули мощностью 10…40 кВт на основе дискретных компонентов или силовых модулей на базе IGBT и/или карбида кремния (SiC), которые включаются параллельно. Они состоят из силовых каскадов переменного/постоянного тока (AC/DC) и постоянного тока (DC/DC). Каждый такой преобразователь соединен со своей системой управления, состоящей из драйверов затвора, датчиков тока и напряжения и управляющего контроллера. Размещение нескольких таких преобразователей внутри транспортного средства нерационально ввиду внушительных габаритов, поэтому эти преобразователи размещаются в самой зарядной станции, которая напрямую взаимодействует с аккумулятором транспортного средства, минуя бортовое зарядное устройство.

Топологии зарядных станций переменного тока с изоляцией и корректором коэффициента мощности

Для получения более высокой мощности и, как следствие, увеличения скорости заряда требуется подключение к трехфазной сети. Упрощенная структура такой зарядной станции представлена на рисунке 3.

Рис. 3. Схема ЭЗС на переменном токе (AC/DC)

Рис. 3. Схема ЭЗС на переменном токе (AC/DC)

Блок корректора коэффициента мощности (ККМ, PFC) обеспечивает синфазность входного тока с напряжением сети, тем самым улучшая общий коэффициент ее мощности: снижается нагрев проводов, большая часть энергии идет в дело. При его использовании уровень гармонических искажений уменьшается до 5% и ниже.

Этап DC/DC является вторым уровнем преобразования мощности на зарядной станции электромобиля. Он преобразует входящее напряжение постоянного тока 800 В (в случае трехфазных систем) в более низкое постоянное напряжение для зарядки аккумулятора электромобиля. Электрические характеристики зарядных модулей обусловлены стандартами и регулируются такими нормативными документами, как Combined Charging System (CCS) и CHAdeMO. Преобразователь постоянного тока должен быть способен подавать номинальную мощность на аккумулятор в широком диапазоне, например, 50…500 В для аккумуляторов от 48 В (электровелосипеды) до 400 В (подключаемый гибридный электромобиль).

Существуют несколько топологий AC/DC-преобразователей зарядных модулей, это обусловлено разнообразием технических требований и условий эксплуатации зарядных станций. Каждая топология имеет свои преимущества и недостатки, которые делают ее более подходящей для определенных задач. Разнообразие схемотехнических решений позволяет инженерам выбирать оптимальный вариант для конкретных условий, соблюдая баланс между эффективностью, стоимостью и функциональностью. 

Однофазный корректор коэффициента мощности по схеме Totem pole

На рисунке 4 показана топология ККМ, выполненная по схеме Totem pole. Она представляет собой повышающий преобразователь, в котором диоды заменены полупроводниковыми ключами S1 и S2, соединенными по схеме полумоста. Ключи S3 и S4 в свою очередь образуют линию низкой частоты на 50…60 Гц, которая либо служит в качестве выпрямителя переменного тока, либо может быть заменена МОП-транзисторами с низким RDS(on) для повышения эффективности, переключающимися синхронно.

Рис. 4. Топология по схеме Totem pole

Рис. 4. Топология по схеме Totem pole

Топология Totem pole весьма эффективна. В ней основной ток протекает через два полупроводниковых ключа с малым сопротивлением открытого канала, которые управляются сигналами ШИМ. Такая топология обеспечивает высокую плотность мощности и может быть построена на базе относительно недорогих компонентов. Totem pole может работать в двух направлениях, а потому подходит для применения в системах V2G (Vehicle to Grid) и во встроенных двунаправленных зарядных устройствах.

Суть технологии V2G заключается в том, что аккумулятор может при необходимости отдавать часть энергии обратно в сеть, от которой заряжается, для ее стабилизации.

Единственным недостатком Totem pole является то, что в MOSFET-транзисторах на карбиде кремния эта схема может работать только в режимах прерывистой (DCM) или критической (CrM) проводимости. Это обусловлено тем, что в режиме непрерывной (CCM) проводимости обратное восстановление диодов может привести к чрезмерным потерям. Время обратного восстановления внутреннего диода в карбид-кремниевых MOSFET намного больше чем у стандартных быстровосстанавливающихся диодов, поэтому потери будут очень высокими, а эффективность – низкой. 

Корректор коэффициента мощности с фиксированной нейтралью (NPC)

На рисунке 5 показана типовая схема ККМ с фиксированной нейтралью для зарядных станций.

Рис. 5. Схема преобразователя с фиксированной нейтралью

Рис. 5. Схема преобразователя с фиксированной нейтралью

Эта топология имеет несколько преимуществ по сравнению с традиционным двухуровневым преобразователем.

Во-первых, многоуровневые преобразователи могут выдавать выходные напряжения с очень низкими уровнями гармонических искажений. В дополнение к этому, в силу особенностей схемы, коммутация в ней может происходить без перегрузки силовых ключей по напряжению.

Во-вторых, данный многоуровневый преобразователь дает хорошие показатели в части электромагнитной совместимости (ЭМС) и имеет низкий уровень гармонических искажений, из-за чего на входе может быть использована менее громоздкая индуктивность. Компоненты на основе GaN/SiC можно применять в этой схеме только когда требуются очень высокие эффективность и плотность мощности. Наконец, преобразователь с фиксированной нейтралью обеспечивает поток энергии в двух направлениях.

Если говорить о недостатках схемы, то можно отметить использование относительно большого количества силовых полупроводниковых компонентов. Для каждого переключателя требуется изолированная схема управления затвором, которая может быть довольно дорогостоящей и сложной в проектировании. 

Трехфазный двухуровневый ККМ

На рисунке 6 изображена типовая топология трехфазного двухуровневого корректора коэффициента мощности. Повышающий выпрямитель с шестью ключами имеет довольно простую схему. Он эффективен и является двунаправленным, чтобы при необходимости батарея могла отдавать часть энергии в сеть для ее стабилизации, к тому же ею просто управлять.

Рис. 6. Двухуровневый преобразователь переменного тока

Рис. 6. Двухуровневый преобразователь переменного тока

Особенность этой топологии заключается в том, что она требует высоковольтных ключей. Например, если напряжение постоянного тока составляет 800 В, то для силового каскада необходимы карбид-кремниевые транзисторы с номинальным напряжением 1200 В.

Одним из недостатков является громоздкая индуктивность в составе фильтров на входе схемы. Плотность энергии при этом небольшая. Кроме того, пиковое напряжение может достигать весьма внушительных значений, что негативно влияет на надежность компонентов, используемых в силовом каскаде. Наконец, в части электромагнитной совместимости эта схема также проигрывает другим популярными многоуровневым топологиям. 

Трехфазный ККМ по схеме Виенна (Виенна-выпрямитель)

Топология Виенна-выпрямителя, которая показана на рисунке 7, используется в ККМ мощных зарядных станций с подключением к трехфазной сети. Данный выпрямитель широко применяется благодаря своей способности работать в режиме непрерывной проводимости (CCM), при этом силовые компоненты схемы не подвержены воздействию экстремальных скачков напряжения. Виенна-выпрямитель характеризуется высокой плотностью мощности при небольших габаритах, поскольку он требует применения не таких крупных индуктивностей, как двухуровневый.

В отличие от двухуровневого преобразователя, Виенна-выпрямитель обеспечивает высокую эффективность на повышенных частотах коммутации и не нуждается в высоковольтных карбид-кремниевых транзисторах на 1200 В, а может быть реализован на обычных MOSFET или IGBT-модулях на 600…650 В в совокупности с диодами Шоттки на карбиде кремния. Из недостатков этой топологии можно выделить то, что она поддерживает только однонаправленный режим передачи мощности – из сети в нагрузку.

Рис. 7. Виенна-выпрямитель

Рис. 7. Виенна-выпрямитель

Трехфазный ККМ с фиксированной/активной нейтралью (ANPC/NPC)

Рисунок 8 иллюстрирует базовую топологию преобразователя с фиксированной нейтралью. Она похожа на рассмотренную ранее однофазную многоуровневую топологию, которая была расширена до трех фаз. В данном случае нагрузка по напряжению на силовые компоненты является самой низкой среди всех топологий, рассмотренных выше. Следовательно, ее можно легко масштабировать, в зависимости от мощности, стоимости и требуемого уровня эффективности. Силовые элементы подбираются исходя прежде всего из уровня мощности системы.

Рис. 8. Топология преобразователя с фиксированной точкой нейтрали

Рис. 8. Топология преобразователя с фиксированной точкой нейтрали

Поскольку коммутируются только 50% от величины всего напряжения в системе, то это вдвое сокращает потери на коммутацию в МОП-транзисторах. К плюсам данной топологии также можно отнести возможность применения компонентов на 600 В вместо 1200 В. В данном случае сама коммутация будет происходить быстрее, что приведет к дальнейшему снижению потерь на коммутацию. В качестве надежных компонентов для данного применения хорошо зарекомендовала себя продукция компании SUNCO (таблица 2).

Таблица 2. Выпрямительные диоды SUNCO

Наименование Корпус Рабочее напряжение, В Ток, А Прямое напряжение (VF), В Обратный ток IR, мкА Прямой имп. ток (IFSM), А Общий заряд (QC), нКл. Рассеиваемая мощность (PTOT), Вт. Тепловое сопротивление RthJ-C, °C/W
YJD106502DQG3 TO-252/DPAK 650 2 1,5 0,1 20 5,2 42 3,62
YJD106502PQG3 TO-220AC 650 2 1,5 0,1 20 5,2 45 3,33
YJD106504DG1 TO-252/DPAK 650 4 1,46 0,5 32 12,5 51 2,93
YJD106504FG1 ITO-220AC 650 4 1,46 0,5 32 12,5 27 5,46
YJD106504FQG3 ITO-220AC 650 4 1,56 0,2 40 10 30 4,99
YJD106504PG1 TO-220AC 650 4 1,46 0,5 32 12,5 60 2,47
YJD106504PQG3 TO-220AC 650 4 1,56 0,2 40 10 64 2,31
YJD106506BQG2 TO-263/D2PAK 650 6 1,31 0,5 65 25 84 1,75
YJD106506DQG2 TO-252/DPAK 650 6 1,31 0,5 65 25 100 1,49
YJD106506FQG2 ITO-220AC 650 6 1,31 0,5 65 25 31 4,76
YJD106506PQG2 TO-220AC 650 6 1,31 0,5 65 25 84 1,78
YJD106508BQG2 TO-263/D2PAK 650 8 1,3 0,5 70 30 136 1,1
YJD106508DQG2 TO-252/DPAK 650 8 1,3 0,5 70 30 132 1,14
YJD106508FQG2 ITO-220AC 650 8 1,3 0,5 70 30 43 3,5
YJD106508PQG2 TO-220AC 650 8 1,3 0,5 70 30 136 1,1
YJD106510BQG2 TO-263/D2PAK 650 10 1,35 0,5 80 30 136 1,1
YJD106510DQG2 TO-252/DPAK 650 10 1,35 0,5 80 30 136 1,1
YJD106510DQG3 TO-252/DPAK 650 13 1,54 0,5 80 25 125 1,2
YJD106510FQG2 ITO-220AC 650 10 1,35 0,5 80 30 43 3,5
YJD106510NQG2 TO-247AC 650 10 1,35 0,5 70 30 126 1,19
YJD106510PQG2 TO-220AC 650 10 1,35 0,5 80 30 136 1,1
YJD106520BQG2 TO-263/D2PAK 650 20 1,35 1 160 62 144 1,04
YJD106520BQG3 TO-263/D2PAK 650 20 1,2 2 380 135,3 375 0,4
YJD106520DQG2 TO-252/DPAK 650 20 1,35 1 160 62 150 1
YJD106520FQG2 ITO-220AC 650 20 1,35 1 160 62 47 3,2
YJD106520NCTQG2 TO-247AB 650 20 1,35 0,5 80* 30* 230 0,65
YJD106520NCTQG3 TO-247AB 650 20 1,55 0,5 70 25 166 0,9
YJD106520NQG2 TO-247AC 650 20 1,35 1 160 62 187 0,8
YJD106520PQG2 TO-220AC 650 20 1,35 1 160 62 170 0,88
YJD106530NYG4 TO-247AC 650 30 1,36 0,2 200 92 238 0,63
YJD106540NCTQG2 TO-247AB 650 40 1,35 1 160* 62* 365 0,41
YJD106550BQG3 TO-263/D2PAK 650 50 1,45 3 380 135,3 375 0,4
YJD106550NQG3 TO-247AC 650 50 1,45 3 380 135,3 454 0,33
YJD106560NCTYG4 TO-247AB 1200 60 1,36 0,5 235* 173* 577** 0.26**
YJD106560NCTYG4 TO-247AB 650 60 1,36 0,2 200* 92* 469** 0.32**
YJD112002DG1 TO-252/DPAK 1200 2 1,41 3 25 14 46 3,3
YJD112002DYG4 TO-252/DPAK 1200 2 1,45 0,1 20 10,2 42 3,57
YJD112002FYG4 ITO-220AC 1200 2 1,45 0,1 20 10,2 23,8 6,3
YJD112002PG1 TO-220AC 1200 2 1,41 3 25 14 47 3,2
YJD112002PYG4 TO-220AC 1200 2 1,45 0,1 20 10,2 47,5 3,16
YJD112005DG1 TO-252/DPAK 1200 5 1,4 1,8 52 37 57 2,6
YJD112005FG1 ITO-220AC 1200 5 1,4 1,8 52 37 31 4,8
YJD112005PG1 TO-220AC 1200 5 1,4 1,8 52 37 79 1,9
YJD112008DQG3 TO-252/DPAK 1200 8 1,46 1 95 37 126 1,19
YJD112008FQG3 ITO-220AC 1200 8 1,46 1 95 37 33 4,55
YJD112008NQG3 TO-247AC 1200 8 1,46 1 95 37 98 1,52
YJD112008PQG3 TO-220AC 1200 8 1,46 1 95 37 95 1,57
YJD112010BGH TO-263/D2PAK 1200 10 1,38 0,5 90 58 153 0,98
YJD112010BQG2 TO-263/D2PAK 1200 10 1,42 1,3 85 53 158 0,95
YJD112010BXGH TO-263/D2PAK 1200 10 1,38 0,5 90 58 153 0,98
YJD112010BXQG2 TO-263/D2PAK 1200 10 1,42 1,3 85 53 158 0,95
YJD112010DGH TO-252/DPAK 1200 10 1,38 0,5 90 58 116 1,29
YJD112010DQG2 TO-252/DPAK 1200 10 1,42 1,3 85 53 189 0,79
YJD112010FGH ITO-220AC 1200 10 1,38 1 83 58 38 3,9
YJD112010FQG2 ITO-220AC 1200 10 1,42 1,3 85 53 36 4,1
YJD112010NGH TO-247AC 1200 10 1,38 0,5 90 58 136 1,1
YJD112010NQG2 TO-247AC 1200 10 1,42 1,3 85 53 266 0,56
YJD112010PGH TO-220AC 1200 10 1,38 0,5 90 58 153 0,98
YJD112010PQG2 TO-220AC 1200 10 1,42 1,3 85 53 170 0,88
YJD112015NGG2 TO-247AC 1200 15 1,25 0,5 144 114 319 0,47
YJD112015NQG3 TO-247AC 1200 15 1,35 3 160 91 163 0,92
YJD112015PGG2 TO-220AC 1200 15 1,25 0,5 140 114 241 0,62
YJD112015PQG3 TO-220AC 1200 15 1,35 3 160 91 170 0,88
YJD112016NCTQG3 TO-247AB 1200 16 1,46 1 95 37 200 0,75
YJD112020BGG2 TO-263/D2PAK 1200 20 1,35 0,5 160 114 92 0,7
YJD112020BGH TO-263/D2PAK 1200 20 1,45 1 145 104 197 0,76
YJD112020BXGG2 TO-263/D2PAK 1200 20 1,34 0,5 160 114 214 0,7
YJD112020BXGH TO-263/D2PAK 1200 20 1,45 1 145 104 197 0,76
YJD112020NCTCG2 TO-247AB 1200 20 1,4 1 86 60 535 0,28
YJD112020NCTQG2 TO-247AB 1200 20 1,42 1,3 85* 53* 500 0,30
YJD112020NGG2 TO-247AC 1200 20 1,34 0,5 160 114 319 0,47
YJD112020NGG3 TO-247AC 1200 20 1,38 0,5 210 120 326 0,46
YJD112020NGH TO-247AC 1200 20 1,4 0,5 160 104 300 0,5
YJD112020NQG3 TO-247AC 1200 20 1,45 3 160 96 227 0,66
YJD112020PGG2 TO-220AC 1200 20 1,34 0,5 160 114 241 0,62
YJD112020PGH TO-220AC 1200 20 1,45 1 145 104 197 0,76
YJD112020PQG3 TO-220AC 1200 20 1,45 3 160 91 170 0,88
YJD112030NCTCG2 TO-247AB 1200 30 1,22 0,5 150 104 576 0,51
YJD112030NCTGH TO-247AB 1200 30 1,31 0,5 160 104 517 0,29
YJD112030NCTQG3 TO-247AB 1200 30 1,35 3 160 96 428 0,35
YJD112030NG1 TO-247AC 1200 30 1,54 1 240 153 394 0,38
YJD112030NGG3 TO-247AC 1200 30 1,54 0,5 250 122 326 0,46
YJD112030NGH TO-247AC 1200 30 1,38 1 261 205 333 0,45
YJD112030NGHD TO-247AC 1200 30 1,29 1 288 209 535 0,28
YJD112030NQG2 TO-247AC 1200 30 1,43 3,4 225 162 416 0,36
YJD112040NCQG2 TO-247AB 1200 40 1,41 2 300 216 468 0,32
YJD112040NCTGG2 TO-247AB 1200 40 1,34 0,5 160* 228 638 0,24
YJD112040NCTGH TO-247AB 1200 40 1,4 0,5 160 104 517 0,29
YJD112040NCTQG3 TO-247AB 1200 40 1,45 3 160 91 326 0,46
YJD112040NGG2 TO-247AC 1200 40 1,38 1 300 222 573 0,26
YJD112040NGH TO-247AC 1200 40 1,4 1 300 209 535 0,28
YJD112040NQG2 TO-247AC 1200 40 1,41 3,1 280 216 440 0,34
YJD112060NQG2 TO-247AC 1200 60 1,45 2 445 320 750 0,19
YJD112060NYG4 TO-247AC 1200 60 1,4 0,5 390 332 500 0,3
YJD112080NPQG2 TO-247PLUS 1200 80 1,42 1 300 211 750 0,2
YJD117010NG1 TO-247AC 1700 10 1,4 3 72 143 254 0,59
YJD117010PG1 TO-220AC 1700 10 1,4 3 72 143 223 0,67
YJD117020NCTG1 TO-247AB 1700 20 1,4 3 72* 143 483 0,31
YJD117030NCTG1 TO-247AB 1700 30 1,33 4 165 199 576 0,51
YJD117030NG1 TO-247AC 1700 30 1,7 10 242 231 319 0,47
YJD117040NCTG1 TO-247AB 1700 40 1,48 4 210 199 576 0,51
YJD120025NG1 TO-247AC 2000 25 1,55 5 240 316 405 0,37

Топология с фиксированной нейтралью имеет малое значение пульсаций выходного тока и напряжения, что упрощает задачу фильтрации на выходе схемы. Эта топология обеспечивает высокую плотность мощности и относительно небольшие гармонические искажения формы тока и напряжения, а также высокий уровень ЭМС и двунаправленную передачу мощности. Все перечисленные преимущества позволяют сделать вывод, что данное решение является предпочтительным для работы с частотой коммутации свыше 50 кГц за счет малых потерь и высокой эффективности.

Одним из недостатков данной схемы является использование большого количества силовых полупроводниковых переключателей, каждому из которых требуется схема управления затвором. Кроме того, управление всей схемой получается довольно сложным. Часто для более симметричного распределения потерь в схеме диоды заменяют на активные полупроводниковые ключи, что, по сути, трансформирует схему в преобразователь с активной нейтралью (ANPC), как показано на рисунке 9.

Рис. 9. Преобразователь с активной нейтралью (ANPC)

Рис. 9. Преобразователь с активной нейтралью (ANPC)

Трехфазный трехуровневый ККМ TNPC

На рисунке 10 изображена базовая топология преобразователя T-типа с тремя индуктивностями на входе. Она представляет собой двухуровневую топологию преобразователя напряжения, усовершенствованную за счет применения активного двунаправленного переключателя в средней точке, подключенного к звену постоянного тока, который должен блокировать половину подаваемого напряжения и поэтому может строиться на транзисторах 600 В, в отличие от верхнего и нижнего плечей преобразователя, которые должны быть построены на транзисторах 1200 В. ККМ по схеме TNPC имеет меньше компонентов, по сравнению с NPC, что упрощает конструкцию и снижает стоимость, а также, в сравнении с Виенна-выпрямителем и двухуровневым ККМ, обеспечивает высокие эффективность и плотность мощности. Он поддерживает двунаправленный поток мощности и подходит для частот переключения до 50 кГц, хотя на более высоких частотах NPC является более предпочтительным. К тому же, подобно другим топологиям, эта также имеет высокие характеристики в области гармонических искажений, поэтому не требует громоздкой индуктивности на входе.

Главным недостатком этой топологии является высокое пиковое напряжение на высоковольтных блокирующих полевых транзисторах.

Рис. 10. Трехфазный трехуровневый преобразователь TNPC

Рис. 10. Трехфазный трехуровневый преобразователь TNPC

Определить оптимальный вариант рассмотренных схем поможет сравнение параметров, приведенных в таблице 3. 

Таблица 3. Сравнение топологий первой части всех схемы ККМ

Топология 2-уровневая 3-уровневый NPC 3-уровневый Виенна-преобразователь 3-уровневый TNPC 3-уровневый ANPC
Уровень гармонических искажений на выходе Высокий Очень низкий Очень низкий Очень низкий Очень низкий
Пиковое напряжение на активных и пассивных компонентах Высокое Низкое Низкое Низкое (блоки) Очень низкое
Плотности мощности Низкая Высокая Высокая Высокая Высокая
Двунаправленная передача энергии Да Да Нет Да Да
Потери на проводимости Низкие Высокие Высокие Средние Высокие
Коммутационные потери Высокие Низкие Средние Средние Низкие
Эффективность Низкая Очень высокая (на высокой частоте) Высокая Высокая Максимально возможная
Стоимость Низкая Высокая Средняя Средняя Высокая
Сложность управления Низкая Средняя Средняя Средняя Средняя
Габариты индуктивности на входе Большие Компактные Компактные Компактные Компактные
Сложность терморегулирования Низкая Высокая Средняя Низкая Низкая

Топологии DC/DC-преобразователей зарядных модулей

При проектировании ЭЗС применяются четыре различных топологии высокомощных DC/DC-преобразователей:

  • резонансный LLC-преобразователь;
  • фазосдвигающий полный мост (PSFB);
  • однофазный двойной активный мост (DAB);
  • двойной активный мост, работающий в режиме CLLL

Традиционный фазосдвигающий полный мост (PSFB)

На рисунке 11 представлена базовая топология фазосдвигающего полного мостового преобразователя. Такой мост относится к семейству мостовых преобразователей, в которых активные ключи на вторичной обмотке заменены диодами, благодаря чему он допускает только однонаправленную передачу мощности.

Рис. 11. Топология фазосдвигающего полного моста

Рис. 11. Топология фазосдвигающего полного моста

Первичная сторона преобразователя функционирует по принципу ZVS (Zero Voltage Switching), минимизируя потери. Однако диоды на вторичной стороне могут испытывать жесткие переключения, что способно приводить к большим потерям проводимости и снижать эффективность преобразователя. Для поддержания ZVS при малых нагрузках обычно применяется режим прерывистой работы (burst mode). Благодаря параллельному соединению преобразователей данной топологии можно добиться более высокой выходной мощности, что особенно актуально для зарядных модулей.

Стоит отметить, что данная топология требует блокировочного конденсатора для исключения постоянной составляющей тока, насыщающей трансформатор. Кроме того, для обеспечения ZVS в этой схеме часто требуется добавление дополнительного шунтирующего индуктора (shim inductor), что делает преобразователь более громоздким и снижает удельную плотность мощности.

Двойной активный мост (DAB)

На рисунке 12 представлена базовая топология преобразователя с двумя активными мостами. Он состоит из полного моста с активными ключами как на первичной, так и на вторичной обмотках высокочастотного трансформатора. Основными преимуществами этого преобразователя являются его двунаправленность и возможность масштабирования за счет параллельного соединения для получения более высоких уровней мощности.

Рис. 12. Топология двойного активного моста

Рис. 12. Топология двойного активного моста

Управление двойным активным мостом может осуществляться как простым способом (с помощью фазовой модуляции) так и более сложным (за счет расширенной модуляции с двойным и тройным фазовым сдвигом). Применение двойного и тройного фазовых сдвигов обеспечивает условия ZVS на обоих мостах в широком диапазоне нагрузок и повышает КПД. Для сглаживания пульсаций тока необходим конденсатор на выходе. ЭЗС на основе данной топологии содержит относительно небольшое число компонентов, имеет низкую стоимость, отличается высоким КПД и используется там, где необходима высокая плотность мощности, а также малые габариты и вес при наличии изоляции.

Еще одно ограничение заключается в том, что для работы преобразователя часто требуется дополнительная катушка индуктивности, которая необходима для работы системы, а это может сделать преобразователь громоздким и снизить удельную мощность.

Реализовать эффективные и компактные мостовые преобразователи можно с помощью транзисторов SUNCO (таблицы 4 и 5).

Таблица 4. MOSFET-транзисторы SUNCO на основе карбида кремния

Наименование Корпус Напряжение «сток-исток», В Ток, A R(DS)on при 25°C, мОм Общий заряд затвора Qg, нКл Выходная емкость (Ciss), pF Рассеиваемая мощность (PTOT), Вт Термальное сопротивление (RthJ), C (°C/W) Максимальная рабочая температура, °C
YJD2065100B7GH TO-263-7L 650 32 100 66 105 161 0,93 175
YJD2065100NCFGH TO-247-4L 650 32 100 66 105 166 0,9 175
YJD2065100NCTGH TO-247AB 650 32 100 66 105 166 0,9 175
YJD2065100PGH TO-220-3L 650 32 100 66 105 166 0,9 175
YJD2065200B7GH TO-263-7L 650 19 200 43 67 120 1,25 175
YJD2065200BGH TO-263-2L/D2PAK 650 18,5 200 43 59 100 1,5 175
YJD2065200NCFGH TO-247-4L 650 16 200 43 67 89 1,4 175
YJD2065200NCTGH TO-247AB 650 16 200 43 67 89 1,4 175
YJD206520NCFGH TO-247-4L 650 115 20 287 359 375 0,4 175
YJD206520NCTGH TO-247AB 650 115 20 287 359 375 0,4 175
YJD206520TLGH TOLL 650 86,5 20 300,1 352 263 0,57 175
YJD206525NCFGG2 TO-247-4L 650 60 25 137 118 187 0,8 175
YJD206525NCFGH TO-247-4L 650 115 25 275 358 375 0,4 175
YJD206525NCTGH TO-247AB 650 115 25 275 358 375 0,4 175
YJD206525T2GH T2PAK 650 92 25 275 358 294 0,51 175
YJD206550B7GH TO-263-7L 650 57 50 121 208 234 0,64 175
YJD206550NCFGG2 TO-247-4L 650 33 50 82 56 131 1,14 175
YJD206550NCFGH TO-247-4L 650 60 50 121 208 250 0,6 175
YJD206550NCTGH TO-247AB 650 60 50 121 208 250 0,6 175
YJD206550PGH TO-220-3L 650 60 50 121 208 250 0,6 175
YJD206550TLGH TOLL 650 57 50 121 208 234 0,64 175
YJD206560B7GH TO-263-7L 650 57 60 121 208 234 0,64 175
YJD206560NCFGH TO-247-4L 650 60 60 116 205 250 0,6 175
YJD206560NCTGH TO-247AB 650 60 60 116 205 250 0,6 175
YJD206560T2GH T2PAK 650 57 60 117 208 242 0,62 175
YJD206560TLGH TOLL 650 57 60 121 208 234 0,64 175
YJD2120120B7GH TO-263-7L 1200 24,5 120 67 56 166 0,85 175
YJD2120120BGH TO-263-2L/D2PAK 1200 23 160 67 56 161 0,93 175
YJD2120120NCFGH TO-247-4L 1200 24 120 67 56 166 0,9 175
YJD2120120NCTGH TO-247AB 1200 24 120 67 56 166 0,9 175
YJD2120160B7GH TO-263-7L 1200 23 160 67 56 161 0,93 175
YJD2120160BGH TO-263-2L/D2PAK 1200 23 160 67 56 161 0,93 175
YJD2120160NCFGH TO-247-4L 1200 24 160 67 56 166 0,9 175
YJD2120160NCTGH TO-247AB 1200 24 160 67 56 166 0,9 175
YJD2120240B7GH TO-263-7L 1200 13,5 240 47 36 105 0,93 175
YJD2120240BGH TO-263-2L/D2PAK 1200 13 320 47 36 100 1,5 175
YJD2120240NCFGH TO-247-4L 1200 13,5 240 47 36 105 1,42 175
YJD2120240NCTGH TO-247AB 1200 13,5 240 47 36 105 1,42 175
YJD212025NCFGH TO-247-4L 1200 95 25 366 238 450 0,4 175
YJD212025NCTGH TO-247AB 1200 95 25 366 238 450 0,4 175
YJD212030NCFG2 TO-247-4L 1200 68 30 127 119 333 0,45 175
YJD212030NCFGH TO-247-4L 1200 78 30 305 198 375 0,4 175
YJD212030NCTG2 TO-247AB 1200 68 30 127 119 333 0,45 175
YJD212030NCTGH TO-247AB 1200 78 30 305 198 375 0,4 175
YJD212030T2GH T2PAK 1200 69 30 305 198 294 0,51 175
YJD212040B7GH TO-263-7L 1200 55 40 229 145 250 0,6 175
YJD212040NCFG1 TO-247-4L 1200 63 40 120 141 333 0,45 175
YJD212040NCFG2 TO-247-4L 1200 66 40 116 127 333 0,45 175
YJD212040NCFGH TO-247-4L 1200 62 40 229 149 326 0,46 175
YJD212040NCFGH2 TO-247-4L 1200 79 40 292 198 375 0,4 175
YJD212040NCTG1 TO-247AB 1200 63 40 120 141 333 0,45 175
YJD212040NCTG2 TO-247AB 1200 66 40 116 127 333 0,45 175
YJD212040NCTGH TO-247AB 1200 62 40 229 149 326 0,46 175
YJD212040NCTGH2 TO-247AB 1200 78 40 280 195 375 0,4 175
YJD212040T2GH T2PAK 1200 58 40 229 145 278 0,54 175
YJD212055NCFGH TO-247-4L 1200 58 55 229 145 326 0,46 175
YJD212060B7GH TO-263-7L 1200 42 60 129 115 234 0,64 175
YJD212060NCFGH TO-247-4L 1200 44,5 60 129 115 250 0,6 175
YJD212060NCTGH TO-247AB 1200 44,5 60 129 115 250 0,6 175
YJD212060T2GH T2PAK 1200 43 60 129 115 242 0,62 175
YJD212060TLGH TOLL 1200 42,5 60 117 97,4 234,4 0,64 175
YJD212080B7GH TO-263-7L 1200 31,5 110 131 85 214 0,7 175
YJD212080NCFG1 TO-247-4L 1200 39 77 41 58 214 0,7 175
YJD212080NCFGG2 TO-247-4L 1200 38 80 70 56 223 0,67 175
YJD212080NCFGH TO-247-4L 1200 33 80 131 85 224 0,67 175
YJD212080NCTG1 TO-247AB 1200 38 77 41 58 214 0,7 175
YJD212080NCTGH TO-247AB 1200 33 80 131 85 224 0,67 175
YJD212080T2GH T2PAK 1200 33 80 131 85 223 0,67 175
YJD212080TLG1 TOLL 1200 39,5 80 48 56,3 208,3 0,72 175
YJD2170500B7GH TO-263-7L 1700 7,7 500 36 17 89 1,69 175
YJD2170500NCTGH TO-247AB 1700 7,7 500 36 17 94 1,6 175

Таблица 5. IGBT-транзисторы SUNCO

Наименование Корпус Uкэ мин., В Iк @ TC = 100°C, A Uкэ нас., В Eon+Eoff при Tj = 125°C, мДж R темп. макс.(j-c), °C/W
DGB10N65CTL0 TO-263 650 10 1,4 0,71 1,5
DGB15N65CTL0 TO-263 650 15 1,4 0,65 1,35
DGB20N65CTL0 TO-263 650 20 1,6 0,83 1,25
DGB30N65CTL1E TO-263 650 30 1,65 2,21 1,1
DGF10N65CTL0 TO-220F 650 10 1,4 0,71 4,8
DGF15N65CTL0 TO-220F 650 15 1,4 0,65 4,4
DGF20N65CTL0 TO-220F 650 20 1,6 0,83 4
DGL50N120CTL0D TO-264 1200 50 1,8 11,64 0,3
DGL75N120CTL1J TO-264 1200 75 1,6 22,6 0,27
DGP10N65CTL0 TO-220 650 10 1,4 0,71 1,5
DGP15N65CTL0 TO-220 650 15 1,4 0,65 1,35
DGP20N65CTL0 TO-220 650 20 1,6 0,83 1,25
DGQ100N65CTL1D TO-247PLUS 650 100 1,25 7,2 0,35
DGQ100N65CTS1D TO-247PLUS 650 100 1,35 5,5 0,35
DGQ120N65CTH1G TO-247PLUS 650 120 1,6 6,75 0,26
DGQ140N120CTH1G TO-247PLUS 1200 140 1,75 19,2 0,16
DGQ160N65CTS2A TO-247PLUS 650 160 1,55 12,78 0,21
DGQ75N120CTH0D TO-247PLUS 1200 75 2 15 0,2
DGQ75N120CTH1A TO-247PLUS 1200 75 1,65 7,78 0,28
DGQ75N120CTH1B TO-247PLUS 1200 75 2,1 11,7 0,25
DGQ75N120CTL0D TO-247PLUS 1200 75 1,85 15,9 0,2
DGQ75N120CTL1A TO-247PLUS 1200 75 1,55 17,5 0,23
DGW100N65CTL1D TO-247 650 100 1,25 7,2 0,35
DGW100N65CTS1D TO-247 650 100 1,35 5,5 0,35
DGW10N120CTL TO-247 1200 10 1,85 2,23 0,95
DGW15N120CTL TO-247 1200 15 1,90 3,95 0,75
DGW15N120CTL1A TO-247 1200 15 1,55 2,4 1
DGW15N120CTLS TO-247 1200 15 2,35 3,82 0,95
DGW15N65CTL TO-247 650 15 1,7 0,51 1
DGW20N65CTL0 TO-247 650 20 1,6 0,83 1,25
DGW25N120CTL TO-247 1200 25 1,85 4,6 0,46
DGW25N120CTL1A TO-247 1200 25 1,6 4,1 0,65
DGW30N65BTH TO-247 650 30 1,95 1,75 0,8
DGW30N65CTH TO-247 650 30 1,95 1,75 0,8
DGW30N65CTL TO-247 650 30 1,85 1,71 0,8
DGW40N120CTH TO-247 1200 40 2,1 6,03 0,35
DGW40N120CTH0D TO-247 1200 40 2 6,98 0,3
DGW40N120CTH1A TO-247 1200 40 1,85 7,2 0,4
DGW40N120CTH2D TO-247 1200 40 1,65 3,54 0,65
DGW40N120CTL TO-247 1200 40 1,85 8,1 0,35
DGW40N120CTL1A TO-247 1200 40 1,7 7,8 0,4
DGW40N120CTL1A1 TO-247 1200 40 1,65 6,45 0,47
DGW40N65ATH TO-247 650 40 1,95 2,4 0,6
DGW40N65ATL0 TO-247 650 40 1,55 1,86 0,8
DGW40N65BTH TO-247 650 40 1,95 2,4 0,6
DGW40N65CTL0 TO-247 650 40 1,55 1,86 0,8
DGW50N120CTL1A TO-247 1200 50 1,55 7,42 0,32
DGW50N65BTH TO-247 650 50 1,95 3,24 0,5
DGW50N65CTH TO-247 650 50 1,95 3,24 0,5
DGW50N65CTH2A TO-247 650 50 1,6 2,56 0,53
DGW50N65CTL0A TO-247 650 50 1,7 4,07 1,05
DGW50N65CTL1E TO-247 650 50 1,5 4,98 0,49
DGW50N65CTL2A TO-247 650 50 1,45 3,82 0,45
DGW50N65CTS2A TO-247 650 60 1,4 2,69 0,53
DGW60N65BTH TO-247 650 60 2,1 4,27 0,45
DGW60N65CTH2A TO-247 650 60 1,7 3,27 0,53
DGW60N65CTS2A TO-247 650 60 1,5 3,42 0,53
DGW75N65CTH2A TO-247 650 75 1,65 4,37 0,35
DGW75N65CTL1E TO-247 650 75 1,7 5,91 0,45
DGW75N65CTS2A TO-247 650 75 1,45 4,64 0,35
DGWC75N65CTS2A TO-247 650 75 1,45 3,68 0,35
DGZ50N65CTH2A TO-247 650 50 1,6 2,56 0,53
DGZ75N65CTH2A TO-247-4L 650 75 1,65 3,59 0,35
DGZ75N65CTS2A TO-247-4L 650 75 1,45 3,86 0,35
DGZC75N65CTH2A TO-247-4L 650 75 1,65 3,59 0,35
DGZC75N65CTS2A TO-247-4L 650 75 1,45 3,86 0,35

Резонансный преобразователь (LLC)

Резонансный преобразователь состоит из трех основных блоков:

  • мостового преобразователя;
  • резонансного контура;
  • выпрямителя.

На его выходе и выходе стоят блоки конденсаторов для сглаживания пульсаций тока.

Преобразователь работает в трех режимах: на резонансной частоте, выше и ниже ее. При работе ниже резонансной частоты уменьшены потери на переключение благодаря мягкому переключению (ZVS), но при этом возрастают потери проводимости. При работе выше резонансной частоты увеличиваются потери на переключении и возникает жесткая коммутация, однако снижаются потери проводимости. Оптимальной будет работа в пределах, близких к значениям резонансной частоты, где возможны ZVS-включение и ZCS-выключение. На рисунке 13 показана топология резонансного LLC-преобразователя.

Рис. 13. Топология резонансного преобразователя

Рис. 13. Топология резонансного преобразователя

Распараллеливание и синхронизация нескольких модулей системы на базе резонансного LLC-преобразователя для увеличения мощности является сложной задачей. Для ее реализации требуется внешняя логика управления. Пульсации тока и пиковое напряжение на всех компонентах системы весьма высоки, что приводит к необходимости использования довольно большой емкости на выходе. Кроме того, трансформатор преобразователя также должен быть довольно внушительных размеров, чтобы обеспечить должный уровень изоляции. Одним из главных преимуществ резонансного преобразователя являются хорошие показатели ЭМС.

Двойной активный мост (DAB) в режиме CLLLC

Резонансные DAB-преобразователи представляют особый интерес, поскольку обладают высокой мощностью и эффективностью, а также отличаются хорошими показателями в части плотности энергии. Данная топология включает в себя все функциональные возможности LLC, однако в режиме CLLLC (Capacitor-Inductor-Inductor-Inductor-Capacitor) преобразователь способен работать в двух направлениях (рисунок 14). Благодаря использованию конденсаторов на первичной и вторичной обмотках трансформатора предотвращается проблема перенасыщения сердечника и сглаживаются пульсации тока (рисунок 15).

Рис. 14. Двойной активный мост (DAB) в режиме CLLLC

Рис. 14. Двойной активный мост (DAB) в режиме CLLLC

Рис. 15. Внешний вид модуля на основе топологии DAB

Рис. 15. Внешний вид модуля на основе топологии DAB

Топология DAB, работающая в режиме CLLLC, в первую очередь подходит для бортовых зарядных устройств, но может использоваться и при более высоких уровнях мощности, вплоть до 10 кВт. Однако масштабирование до более высоких значений мощности и распараллеливание могут быть затруднены, поскольку для этого требуется реализовать симметричную конструкцию контура и синхронизацию нескольких модулей, что на практике может оказаться довольно непростой задачей.

Преимущества и особенности топологий DC/DC-преобразователей зарядных модулей представлены в таблице 6.

Таблица 6. Сравнение топологий DC/DC-преобразователей

Топология LLC-преобразователь Фазосдвигающий полный мост (PSFB) Двойной активный мост (DAB) Двойной активный мост (DAB) в режиме CLLLC
Пиковая нагрузка на компоненты схемы на первичной и вторичной стороне Высокая Низкая Максимально низкая Высокая
Максимально допустимый уровень реактивной мощности на трансформаторе Высокий Средний Низкий Высокий
Отношение полной выходной мощности к максимальному уровню реактивной мощности на трансформаторе Низкое Среднее Высокое Среднее
Величина входного и выходного среднеквадратичного тока на конденсаторах Высокая Средняя Низкая Высокая
Двунаправленность передачи энергии Нет Нет Да Да
Уровень потерь проводимости Высокий Средний Максимально низкий Средний
Потери на коммутацию при включении ZVS ZVS ZVS ZVS
Уровень потерь на коммутацию при выключении Низкий Высокий Высокий (устройство выключается при пиковом значении тока в индуктивности) Низкий (отключение первичной стороны определяется током намагничивающего индуктора, отключение вторичной стороны равно нулю)
Уровень общих потерь Низкий Максимально высокий Средний Низкий
Сложность управления схемой Умеренная Очень низкая Варьируется от простой до сложной Умеренная
Широкий диапазон напряжений батареи, фиксированное напряжение на шине Нет, требуется отдельный DC/DC-преобразователь Да, с уменьшением эффективности Да, с уменьшением эффективности Ограничен
Возможность соединения модулей параллельно Да Да Да Да
Частота коммутации Фиксированная/высокая (при использовании компонентов на SiC) Высокая Высокая Очень высокая

Для успешного развития инфраструктуры электротранспорта необходимо создание широкой сети зарядных станций различных топологий, для чего нужны силовые полупроводниковые компоненты: диоды, IGBT-модули и транзисторы (в том числе на основе карбида кремния). Все это предлагает компания SUNCO один из крупнейших производителей дискретных компонентов в КНР.

При достаточно невысокой стоимости компонентов SUNCO обеспечивает высокое качество продукции благодаря сквозному контролю в процессе полного цикла производства. Кроме того, компания осуществляет постпродажную поддержку заказчиков через своих дистрибьюторов. В случае возникновения неисправностей специалисты готовы провести полный анализ возникшей проблемы в течение 5…7 рабочих дней и выдать заказчику 8D-отчет, который включает в себя визуальный осмотр, анализ внутренней структуры полупроводникового прибора с помощью рентгена и сканирующей электронной микроскопии, результаты электрического тестирования и выводы о возможных причинах отказа.

Узнать больше о продукции SUNCO можно на страницах каталога:

Получить ответы на все возникшие вопросы помогут ваши менеджеры и специалисты КОМПЭЛ.

•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCO

Компания SUNCO – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовления ...читать далее

Товары
Наименование
YJD106550NQG3 (YJ)
 
YJD112020NGG2 (YJ)
 
YJD120025NG1 (YJ)
 
YJD2065100NCFGH (YJ)
 
YJD2120120B7GH (YJ)
 
YJD2120120NCTGH (YJ)
 
YJD2120240NCTGH (YJ)
 
DGL50N120CTL0D (YJ)
 
DGW50N65CTS2A (YJ)