Группа товаров — дискретные полупроводники Записей: 85, Страница: 1 из 9

07 декабря

Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

Рубрики: примеры применений
30 ноября

Интеллектуальные 600-650V силовые модули CIPOS Mini от Infineon

CIPOS™ Mini – интеллектуальные силовые модули (intelligent power modules, IPM), которые объединяют в одном корпусе силовые полупроводниковые ключи (БТИЗ или МОП-транзисторы) и схему управления. Благодаря этому удается значительно сократить... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: интегральные микросхемы, дискретные полупроводники
28 ноября

Параллельное включение модулей EconoPACK+

Популярные силовые модули EconoPACK™+на базе IGBT производства Infineon при реализации различных силовых устройств часто требуется включать по сдвоенной и строенной трехфазной схеме. О правилах, которые следует при этом соблюдать,... ...читать

Рубрики: примеры применений
23 октября 2018

Как защитить радиоканал в устройствах интернета вещей

Ускоренное внедрение интернета вещей показало необходимость защиты от потенциальных угроз скачков напряжения, одной из которых является электростатический разряд (ЭСР). В статье приведены основные методы защиты от ЭСР, –  диоды и диодные сборки,... ...читать

Рубрики: примеры применений
12 октября 2018

Ускоряем внедрение силовых SiC-транзисторов

На протяжении многих лет мы слышим о широкозонных полупроводниках, о планах по их развитию и о появлении новых решений. При этом нам обещают совершенно удивительные возможности. Однако проектирование реальных устройств – это далеко не презентации... ...читать

Рубрики: примеры применений
04 октября 2018

Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

В статье рассматриваются особенности работы МОП-транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC-преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы повышения... ...читать

Рубрики: примеры применений
01 октября 2018

Основные параметры и аспекты применения дискретных IGBT

Инструкция по особенностям практического применения дискретных транзисторов IGBT с экскурсом в основы теории и результатами практических испытаний для трех моделей IGBT производства Infineon: IRG7PC35SD для резонансных приложений с мягкими... ...читать

Рубрики: примеры применений
28 сентября 2018

MIPAQ Pro – интеллектуальные силовые сборки от Infineon

Семейство MIPAQ™ Pro от Infineon представляет собой полностью протестированные и квалифицированные силовые сборки, состоящие из IGBT модулей, расположенных на охладителе жидкостного или воздушного типа, драйверов управления силовыми... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
27 сентября 2018

Куда уходят бренды?

Зачастую разработчик ищет хорошо знакомый ему электронный компонент, который уже применял несколько лет назад, и не подозревает, что за это время его производитель сменил владельца или имя, а компонент, хотя и выпускается до сих пор, надо искать у... ...читать

Рубрики: примеры применений
14 сентября 2018

Новые корпусные исполнения силовых компонентов для современных источников питания

В статье поясняется, каким образом развитие корпусных технологий силовых полупроводниковых компонентов, в частности – производства Infineon, – применяемых в импульсных источниках питания, помогает в достижении требуемых параметров... ...читать

Рубрики: примеры применений