BSS138

BSS138 N-CHANNEL MOSFET FEATURES  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Low Input / Output Leakage  Sub-miniature surface mount package SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-so...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002K (SHIKUES)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
±
P= CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P= 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P= 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 2460 шт
 
±
P= 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= 2N7002W (JSCJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3
 
±
P= WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BSS138 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
P= BSS138 (ANBON)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3
 
P= BSS138 (SHIKUES)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 15 шт
 
±
P= BSS138 (EVVO)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BSS138LT1G (JSMICRO)
 
в ленте 500 шт
 
P= BSS138LT1G-VB (VBSEMI)
 
в ленте 3000 шт
 
P= LBSS138LT1G (LRC)
 
1 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P= LBSS139LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
P= BSS138 (YOUTAI)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- BSS138 (JSCJ)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 15000 шт
 
F~ BSS138 (YJ)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
BSS138 N-CHANNEL MOSFET FEATURES  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  Low Input / Output Leakage  Sub-miniature surface mount package SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Power dissipation Thermal resistance from Junction to ambient Junction temperature Storage temperature Symbol VDS VGS ID PD RθJA TJ TSTG Value 50 ±12 0.22 0.35 357 150 -55 ~+150 Unit V V A W °C/W °C °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions V (BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 50 V VGS=0V, ID=250μA Zero gate voltage drain current 0.1 μA VDS=50V, VGS=0V IDSS ±1 μA VDS=0V, VGS=±12V ±0.5 μA VDS=0V, VGS=±5V Gate-body leakage current IGSS ±0.05 μA VDS=0V, VGS=±12V Gate-threshold voltage 0.6 1.20 V VDS=VGS, ID=250μA VGS(th) 2.50 Ω VGS=1.8V, ID=0.05A Drain-source on-resistance 2.0 Ω VGS=2.5V, ID=0.05A RDS(ON) 1.6 Ω VGS=5V, ID=0.05A Forward trans-conductance 0.2 S VDS=10V, ID=0.2A gFS Diode forward voltage (note 1) 1.2 V IS=0.115A, VGS=0V VSD 58 pF Input capacitance(note 1) Ciss VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz Output capacitance(note 1) 9.75 pF Coss 5.2 pF Reverse transfer capacitance(note 1) Crss VDS=5V, VGS=10mV, f=1MHz Gate resistance(note 1) 281 Ω RG Turn-on delay time(note 1) 5 nS td(on) 5 nS Turn-on rise time(note 1) tr VDD=30V, VGS=10V, RGEN=6Ω,ID=0.29A 60 nS Turn-off delay time(note 1) td(off) Turn-off fall time(note 1) 35 nS tf Note:1.These parameters have no way to verify.. © SHENZHEN HOTTECH ELECTRONICS CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/3 PDF
Документация на BSS138 

Subject:

Дата модификации: 28.11.2018

Размер: 672.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.