JMTQ11DN10A
JMTQ11DN10A
Description
JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
100V,10A
RDS(ON)<120mΩ @ VGS =10V
RDS(ON)<137mΩ @ VGS =4.5V
Load Switch
PWM Application
Power management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead free product is acquired
PDFN3x3-8L
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Marking and pin Assignment
Schemat...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMS175N10LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMS175N10HG4 (WAYON) | — |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TSM900N10CP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | — |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | 12N10 (YOUTAI) | — | 1 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMS175N10LG4 (WAYON) | — | 4000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJS11G10A (YJ) | SOP-8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | IRFR3910 (EVVO) IRFR3910 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  | — |  | — | — | — |  | — | — | — | |
| A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE0110K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTK10N10A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ10N10TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTQ11DN10A
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 16.08.2022
Размер: 416.6 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.