MMBT2222A

UMW R MMBT2222A UMW MMBT2222A SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Value Symbol Collector-Base Voltage 75 VCBO 40 VCEO Collector-Emitter Voltage 6 VEBO Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous 600 IC Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR)
200 шт
 
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ PBSS4130T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
A+ MMBT5551Q (YJ)
 
 
A+ MMBT2222AQ (YJ)
 
 
A+ MMST2222AQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS4230T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
UMW R MMBT2222A UMW MMBT2222A SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(MMBT2907A) MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Value Symbol Collector-Base Voltage 75 VCBO 40 VCEO Collector-Emitter Voltage 6 VEBO Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous 600 IC Collector Dissipation 300 PC Thermal Resistance, Junction to Ambient 417 RΘJA Junction Temperature 150 TJ Storage Temperature -55~+150 Tstg 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Unit V V V mA mW ℃/W ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Pa rameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO * T est conditions Min Typ Max Unit IC= 10μA, IE=0 75 V IC= 10mA, IB=0 40 V 6 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.01 μA Collector cut-off current ICEX VCE=30V,VBE(off)=3V 0.01 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 3V, IC=0 0.1 μA hFE(1) DC current gain * hFE(2) hFE(3) * Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) * Base-emitter saturation voltage VBE(sat) * Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf VCE=10V, IC= 150mA 100 VCE=10V, IC= 0.1mA 40 VCE=10V, IC= 500mA 42 IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA IC=500 mA, IB= 50mA IC=150 mA, IB=15mA VCE=20V, IC= 20mA, f=100MHz 300 1 0.3 2.0 1.2 300 V V MHz VCC=30V, VBE(off)=-0.5V IC=150mA , IB1= 15mA 10 ns 25 ns VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2=15mA 225 ns 60 ns *pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE(1) RANK L H RANGE 100–200 200–300 MARKING 13 www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на MMBT2222A 

UMW MMBT2222A

Дата модификации: 26.12.2023

Размер: 779.4 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.