SI2310A

UMW R UMW SI2310A 60V N-Channel MOSFET ■ Features SOT–23 VDS (V) =60V ID =3A RDS(ON) 80m (VGS = 10V) RDS(ON) 95m (V GS = 4.5V) 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN D G S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VD S 60 V Gate-Source Voltage VG S ±20 V Continuous Drain Current TA=25 ℃ ID TA=70℃ 2.3 Pulsed Drain Current * Power Di...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
A+ YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ TSM900N06CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
A+ TSM850N06CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ CJU4828 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ CJ2310 SOT-23 (JSCJ)
 
45 шт
 
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJL03N06AQ (YJ)
 
100 шт
 
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
 
A+ IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLL014NTRPBF (VBSEMI)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ±
A+ NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ JMTL2310A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2308A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ IRLML0060 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR)
в ленте 3000 шт
 
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL03N06B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.