Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект...
Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,...
Использование в выпрямителях готовых модулей диодных мостов вместо набора дискретных элементов является современной тенденцией. Благодаря этому производители электроники получают такие преимущества, как меньшие габариты, простота монтажа и более в...
Константин Кузьминов (г. Заполярный)
Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуник...
Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства. Э...
Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в переме...
Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и з...
Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В бу...
Китайская компания SUNCO выпускает дискретные IGBT-транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO-247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в том, что перв...
Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type-A и Type-C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTe...