IRLML0060

Hottech
IRLML0060 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  VDS=60V, ID=3A, RDS(ON)<105mΩ, @VGS=10V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA      Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Marking:N60 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source volt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRLML0060TR (HOTTECH)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WM06N30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ AD-CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — —
A+ WMB03DN06T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ IRLML0060 (KEENSIDE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLL014NTRPBF (VBSEMI) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ YJL03N06C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJL03N06B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — —
A+ YJH03N06A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт — —
A+ IRFL4105 (EVVO)
 

IRFL4105 (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTL2310A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ SI2310A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ SI2308A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —
A+ IRLML0060 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ TSM850N06CX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
IRLML0060 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  VDS=60V, ID=3A, RDS(ON)<105mΩ, @VGS=10V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA      Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) Marking:N60 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage TA=25°C Continuous drain current TA=70°C Pulsed drain current (Note 1) TA=25°C Power dissipation TA=70°C Linear Derating Factor Thermal resistance from Junction to ambient Storage and Junction temperature Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA* TJ,TSTG Value 60 ±20 3.0 2.1 11 1.25 0.8 0.01 100 -55 ~+150 Unit V V A A W W/°C °C/W °C *Surface mounted on 1 in square Cu board ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions V(BR)DSS 60 V VGS=0V, ID=250μA Drain-Source breakdown voltage 20 VDS=60V, VGS=0V Zero gate voltage drain current IDSS μA 250 VDS=60V, VGS=0V,Tj=125°C Gate-body leakage current IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±20V Gate-threshold voltage (note 1) VGS(th) 0.7 1.3 2.5 V VDS=VG S, ID=250μA 110 V GS=4.5V, ID=2A 85 mΩ Drain-source on-resistance(note 1) RDS(ON) 60 105 mΩ VGS=10V, ID=3A Internal Gate Resistance RG 1.6 Ω Forward transconductance(note 1) gFS 4 S VDS=25V, ID=3A Ciss 290 pF Input capacitance VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz Coss 37 pF Output capacitance Reverse transfer capacitance Crss 21 pF td(on) 5.4 nS Turn-on delay time VDD=30V,ID=1A, Turn-on rise time tr 6.3 nS RG=6.8Ω,VGS=4.5V Turn-off delay time td(off) 6.8 nS nS Turn-off fall time tf 4.2 Qg Total gate charge 2.5 nC Qgs VDS=30V,VGS=4.5V,ID=3A Gate-source charge 0.7 nC Qgd nC 1.3 Gate-drain charge Diode forward current(Body Diode) IS 1.6 A Pulsed Source Current(Body Diode) ISM 11 A 0.8 V Diode forward voltage (note 1) VSD 1.2 IS=1 A , VGS=0V,Tj=25°C Reverse Recovery Time trr 14 21 nS TJ=25°C,VR=30V,IF=1.6A, Reverse Recovery Charge Qrr 13 20 nC di/dt=100A/μs Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤400µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML0060 

Дата модификации: 09.07.2022

Размер: 818.3 Кб

6 стр.

IRLML0060 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  VDS=60V, ID=2.7A, RDS(ON)<92mΩ@VGS=10V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage TA=25°C Continuous drain current TA=70°C Pulsed drain current (Note 1) TA=25°C Power dissipation TA=70°C Linear Derating Factor Thermal resistance from Junction to ambient Storage and Junction temperature Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA* TJ,TSTG Value 60 ±16 2.7 2.1 11 1.25 0.8 0.01 100 -55 ~+150 Unit V V A A W W/°C °C/W °C *Surface mounted on 1 in square Cu board ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions V(BR)DSS 60 V VGS=0V, ID=250μA Drain-Source breakdown voltage 20 Zero gate voltage drain current IDSS μA VDS=60V, VGS=0V 250 VDS=60V, VGS=0V,Tj=125°C Gate-body leakage current IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±16V Gate-threshold voltage (note 1) VGS(th) 0.8 1.8 V VDS=VGS, ID=250μA 98 116 mΩ VGS=4.5V, ID=2.2A Drain-source on-resistance(note 1) RDS(ON) 78 92 mΩ VGS=10V, ID=2.7A Internal Gate Resistance RG 1.6 Ω Forward transconductance(note 1) gFS 7.6 S VDS=15V, ID=2.0A Input capacitance Ciss 290 pF VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz Output capacitance Coss 37 pF Reverse transfer capacitance Crss 21 pF Turn-on delay time td(on) 5.4 nS VDD=30V,ID=1A, Turn-on rise time tr 6.3 nS RG=6.8Ω,VGS=4.5V Turn-off delay time td(off) 6.8 nS Turn-off fall time tf 4.2 nS Qg Total gate charge 2.5 nC Qgs VDS=30V,VGS=4.5V,ID=2.7A 0.7 nC Gate-source charge Qgd Gate-drain charge 1.3 nC Diode forward current(Body Diode) IS 1.6 A Pulsed Source Current(Body Diode) ISM 11 A Diode forward voltage (note 1) VSD 1.3 V IS=2.7A, VGS=0V,Tj=25°C Reverse Recovery Time trr 14 21 nS TJ=25°C,VR=30V,IF=1.6A, Reverse Recovery Charge Qrr 13 20 nC di/dt=100A/μs Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤400µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML0060 

Дата модификации: 22.12.2021

Размер: 965.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)