JMTN2310A
JMTN2310A
Description
JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
60V, 3A
RDS(ON)< 92mΩ @ VGS =10V
RDS(ON)< 119mΩ @ VGS =4.5V
Load Switch
PWM Application
Power management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead free product is acquired
SOT-89-3L top view
Marking and pin Assignment
Schematic Diagram
Package Marking an...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT893L
- Норма упаковки: 1000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT893L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 18
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | FDN5630 (YOUTAI) FDN5630 (ONS-FAIR) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJL03N06C (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | SI2308A (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TSM900N06CW RPG (TSC) | SOT-223 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM850N06CX RFG (TSC) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI) IRLL014NTRPBF (VBSEMI) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| A+ | IRLML0060 (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJL03N06A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJL03N06B (YJ) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | YJH03N06A (YJ) | SOT-89 | в ленте 1000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | IRLL024N (EVVO) IRLL024N (INFIN) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | IRF7478 (EVVO) IRF7478 (INFIN) | SOP-8 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE60ND03S (NCE) | DFN-8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE6005AS (NCE) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE6005AR (NCE) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |
| A+ | NCE6003X (NCE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTL2310A (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | SI2310A (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTN2310A
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 19.05.2021
Размер: 338.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.